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Calibre EUV
全面支持应对高 NA EUV 的独特挑战,例如变形光学和掩膜 3D 建模以考虑阴影效应。
对集成电路(IC)的无限需求继续推动关键尺寸的缩小。光刻工艺,包括极紫外线 (EUV),呈现出越来越多的复杂性和数据量。我们的计算光刻解决方案可实现具有成本效益的技术支持。
光刻挑战和与高级工艺节点相关的计算复杂性都要求计算光刻软件和硬件方面的高级功能。Calibre 解决方案提供一流的精度、速度和拥有成本。

密集的光学邻近和过程校正可实现深亚微米制造。
在设计中插入亚分辨率辅助功能 (SRAF)。
强大的全芯片仿真和光刻分析。

GUI 用于启动各种应用程序和查看结果。

适用于光学、抗蚀剂和蚀刻模型的高度可扩展校准引擎。
基于反向像素的快速、光学近距离校正。
易于使用的 GUI 用于优化照明源。