Calibre EUV

EUV（极紫外线）光刻是一种使用非常小波长的光（13.5nm）在硅晶片上打印图像的技术。之所以需要它，是因为EUV的波长小于特征尺寸，使打印变得更加容易，并且对于实现5nm、3nm及以上的先进制造技术节点的图案分辨率至关重要。

Calibre 模拟了所有独特的 EUV 光学效果，例如耀斑，包括短程和远距离效果。Calibre 支持域分解方法的动态模型生成，允许在不损失精度的前提下对狭缝中的方位角、像差、偏差和光源变化进行连续建模。三维蒙版效果，例如厚掩膜吸收体产生的阴影效应和随狭缝变化的轴外照明，可以得到精确补偿。Calibre 还对黑色边框效果进行建模，以消除其通过 OPC 产生的成像冲击。Calibre 还为高 NA EUV 做好了准备。Calibre 配备了新的特性和功能，可支持从建模到 OPC 的变形光学。

在 EUV 光刻中，SRAF 可能是 5nm 及以下节点的必备条件。SRAF 对图像对数斜率 (ILS) 具有积极影响，从而降低了线条边缘粗糙度 (LER) 并增强了焦深 (DOF)。由于 EUV 的离轴照明以及通过分割产生的不同阴影效果，在水平和垂直方向上都可能需要非对称的 SRAF，并且在不同的狭缝位置可能需要不同的 SRAF。

Calibre 的 SRAF 解决方案可以使用 EUV 模型进行 SRAF 放置。Calibre pxOPC 可以生成非对称的 SRAF，并且可以根据目标自由度、ILS 或混合物镜进行调整。Calibre NMSraf 可以使用 pxOPC 结果作为模板生成基于规则的 SRAF，并且可以不对称地放置 SRAF。Calibre NMCLSRAF 可灵活地使用反向光刻引擎实现自由形状的 SRAF 形状。它按顺序应用模板，对 MRC 冲突执行清理，并可以在 EUV 掩码上生成曲线 SRAF。

高 NA（数值孔径）EUV 是 EUV 光刻技术的演变（从今天的 0.33 NA 到 >= 0.5 NA），这是实现先进技术节点的图案分辨率所必需的。Calibre 已经为高 NA EUV 做好了准备。从建模到OPC，再到MPC/MDP，Calibre的建模和掩模合成产品已经支持变形光学。具有多重图案的 Calibre EUV OPC 已通过制造验证，Calibre Source Mask Optimization (SMO) 还包括适用于高 NA EUV 的高级功能。

Calibre 为 EUV 应用提供完整的设计和制造流程。Calibre 的 EUV 解决方案通过提供以下内容来应对挑战：

对 EUV 的全面建模支持- Calibre 的建模技术完全支持所有 EUV 效果，包括耀斑、黑色边框效果和 3D 蒙版效果。

综合产品套件- Calibre pxSMO、Calibre pxOPC、Calibre nMOPC、Calibre nMOPC、Calibre nmoPC、Calibre NMSraf和Calibre OPCVerify等Calibre产品都考虑到了所有建模效果，这些产品目前用于录音。

分层数据处理- Calibre EUV 流程是按照主层次结构设计的，同时使用了完整的全球 EUV 模型，可实现快速、准确的 OPC 流程。

曲线数据处理- Calibre Curvilinear Data Preparation Solutions 可在整个 EUV 掩模流片流出流程中启用。

利用 AI 提高下一个节点的精度- Calibre EUV 包含先进的机器学习技术，可加速掩模合成，在保持光刻质量的同时，显著改善了运行时间。