熱特性評価

熱電対、赤外線画像、またはX線検査とは異なり、 Simcenter・マイクロッド・ソリューション 表面温度や形状だけでなく、内部の熱構造全体をワンクリックで明らかにする、JEDEC 51に準拠した非破壊の電気的方法を使用してください。テストデータも直接接続します Simcenter・フローテルム と Simcenter が花を咲かせました、99％以上の精度で自動モデルキャリブレーションを可能にします。結果：お客様から、ECUの設計にかかる時間とコストが最大 78% 削減され、パワーエレクトロニクスモジュールの放熱能力と寿命が 30% 向上したと報告されています。

X線や侵襲的プロービングなどの従来の方法では、テスト対象のデバイスが損傷したり、完全に破壊されたりして、学習できる範囲が制限されます。非破壊検査では、同じ部品を繰り返し評価し、その寿命全体にわたる劣化を追跡し、試験サンプルを再利用することができます。これにより、より信頼性が高く再現可能なデータを生成しながらコストを削減できます。

JEDEC 51は、半導体デバイスの熱抵抗と接合部温度を測定するための業界標準の電気試験方法です。Compliance により、熱指標が一貫して測定され、メーカー間で比較できるため、コンポーネントの指定、データシートの検証、顧客や業界の資格要件への適合が容易になります。

構造関数は、熱過渡現象の測定値を、接合部から周囲まで、熱抵抗と熱キャパシタンスの視覚的なプロファイルに変換します。コンポーネントの内部熱流路が明らかになり、劣化、欠陥、または設計上の弱点が存在する場所を正確に特定できます。

シミュレーションは計算モデルを使用して熱挙動を予測し、テストでは実際のハードウェアでの実際の熱性能を測定します。この2つは連携して最も効果的です。テストデータはシミュレーションモデルの検証とキャリブレーションを行い、精度を向上させます。一方、シミュレーションでは、すべてのオプションの物理的なプロトタイプを構築しなくても、設計代替案を迅速に検討できます。

はい。Simcenter Micredソリューションは、従来のダイオード、MOSFET、IGBT、デジタルICに加えて、シリコンカーバイド（SiC）MOSFETや窒化ガリウム（GaN）HEMTなど、さまざまな半導体タイプと材料をサポートしているため、メーカーは次世代の高電力密度設計を自信を持って評価できます。

アクティブパワーサイクリングは、スイッチングと温度過渡現象によってコンポーネントに繰り返しストレスを与え、実際の動作条件をより短時間でシミュレートします。熱劣化監視と組み合わせることで、コンポーネントが予期せず故障するのを待たずに、予測寿命を検証し、故障メカニズムを特定し、改善が必要な設計インターフェースを特定します。

はい。自動化されたハイスループットの熱試験を製造ラインに直接組み込んで、エンドオブライン（EoL）の品質保証を行うことができます。すべてのユニットの熱性能を検証し、出力を品質ボックスに分類し、標準の通信プロトコルをサポートしているので、メーカーは製品が顧客に届く前に欠陥を見つけるのに役立ちます。

熱試験は、1つのチェックポイントだけでなく、製品ライフサイクル全体にまたがる場合に最大の価値をもたらします。設計の早い段階でシミュレーションモデルのキャリブレーションや寿命を予測したり、生産前の段階でアクティブパワーサイクリングによる信頼性の確認に使用したり、最終段階で製品が顧客に届く前に製造上の欠陥を見つけたりするために使用してください。障害が発生した後だけでなく、早期に開始して継続的にテストすることで、再設計コストを削減し、大規模で一貫した品質を確保できます。

はい。Simcenter Micred hardware は、ブースター、コールドプレート、制御環境チャンバーなどのモジュラーオプションをサポートしているため、既存のテスト設定に合わせて調整できます。また、そのソフトウェアはSimcenter FlothermやFLOEFDと直接統合してシミュレーションの相関分析を行います。生産側では、システムをロボットハンドラーと統合し、SECS/GEM、OPC UA、Modbusなどの標準通信プロトコルをサポートできるため、独立したサイロ化されたプロセスを必要とせずに、確立された製造ラインに簡単に適合させることができます。