過去10年間で、フォトニクステクノロジーはマイクロエレクトロニクスにおける光通信と光インターコネクトの新しい技術でした。その結果、多種多様なフォトニクス設計方法論が、非常に難しいスケールや形状と融合しました。このような曲線的で重要なフォトニクス形状を製造するには、193 nmの液浸リソグラフィによる逆リソグラフィ技術(ILT)を含む高度な解像度向上技術(RET)が必要です。この論文では、高度なILTソリューションを使用するいくつかのフォトニクスデバイスの製造上の課題と、エッジ配置誤差(EPE)、PVバンド、ラインエッジ粗さ(LER)など、SRAF挿入が良好なリソ品質の実現に与える影響を調査します。Calibre ILTソリューションが最も困難なフォトニクス設計の製造をどのように可能にするかを実演します。
