La correction du processus de masque (MPC) est bien établie en tant qu'étape nécessaire de la préparation des données de masque (MDP) pour la fabrication de masques à faisceau d'électrons sur des nœuds technologiques avancés situés à 14 nm et au-delà. Le MPC utilise généralement un modèle de diffusion d'électrons pour représenter l'exposition aux faisceaux électroniques et un modèle de processus pour représenter les effets du processus de développement et de gravure. Les modèles sont utilisés pour simuler de manière itérative la position des bords des éléments de mise en page et déplacer les segments de bord afin de maximiser la précision de la position des bords du masque terminé. L'attribution sélective des doses peut être utilisée conjointement avec le mouvement des bords afin de maximiser à la fois la précision de la fenêtre de traitement et de la position des bords.
La méthodologie MPC pour l'étalonnage des modèles et la correction de la disposition a été développée et optimisée pour les machines de gravure de masques à faisceau vectoriel (VSB) qui représentent la principale technologie de lithographie de masques utilisée aujourd'hui pour la fabrication avancée de masques. Les machines d'écriture de masques multifaisceaux (MBMW) ont récemment été introduites et commencent à être utilisées dans la production de photomasques en volume.
Ces nouveaux outils sont basés sur des architectures de scan matricielles massivement parallèles qui réduisent de manière significative la dépendance du temps d'écriture à la complexité de la mise en page. Ils devraient renforcer et éventuellement remplacer la technologie VSB pour les masques de nœuds avancés alors que la complexité de la mise en page ne cesse de croître [5] [6].
Bien que l'on s'attende à ce que les méthodes MPC existantes développées pour la lithographie VSB puissent être facilement adaptées au MBMW, un examen rigoureux de la correction des erreurs de masque pour le MBMW est nécessaire afin de confirmer pleinement l'applicabilité des outils et méthodes actuels et d'identifier les modifications qui pourraient être nécessaires pour obtenir les performances CD souhaitées du MBMW. Dans cet article, nous présenterons les résultats d'une telle étude et confirmerons que le MPC est prêt pour la lithographie par masque multifaisceaux.
