Die Maskenprozesskorrektur (MPC) hat sich als notwendiger Schritt in der Maskendatenvorbereitung (MDP) für die Herstellung von Elektronenstrahlmasken an fortschrittlichen Technologieknoten ab 14 nm und darüber hinaus etabliert. MPC verwendet in der Regel ein Elektronenstreumodell, um die Elektronenstrahlbelichtung darzustellen, und ein Prozessmodell, um die Effekte des Entwicklungs- und Ätzprozesses darzustellen. Die Modelle werden verwendet, um iterativ die Position der Kanten von Layout-Features zu simulieren und Kantensegmente zu verschieben, um die Genauigkeit der Kantenposition der fertigen Maske zu maximieren. Die selektive Dosiszuweisung kann in Verbindung mit der Kantenbewegung verwendet werden, um gleichzeitig die Genauigkeit des Prozessfensters und der Kantenposition zu maximieren.
Die MPC-Methode für die Modellkalibrierung und Layoutkorrektur wurde für die Vector Shaped Beam (VSB) -Maskenschreiber entwickelt und optimiert, die die vorherrschende Maskenlithografie-Technologie darstellen, die heute für die fortschrittliche Maskenherstellung verwendet wird. Mehrstrahl-Maskenschreiber (MBMW) wurden vor Kurzem eingeführt und werden nun allmählich in der Serienproduktion von Fotomasken eingesetzt.
Diese neuen Tools basieren auf stark parallelen Rasterscan-Architekturen, die die Abhängigkeit der Schreibzeit von der Layoutkomplexität erheblich reduzieren und es wird erwartet, dass sie die VSB-Technologie für fortgeschrittene Node-Masken erweitern und irgendwann ersetzen werden, da die Layoutkomplexität weiter zunimmt [5] [6].
Es wird zwar erwartet, dass bestehende MPC-Methoden, die für die VSB-Lithografie entwickelt wurden, leicht an MBMW angepasst werden können, aber eine strenge Prüfung der Maskenfehlerkorrektur für MBMW ist notwendig, um die Anwendbarkeit der aktuellen Werkzeuge und Methoden vollständig zu bestätigen und um alle Änderungen zu identifizieren, die möglicherweise erforderlich sind, um die gewünschte CD-Leistung von MBMW zu erzielen. In diesem Artikel werden wir die Ergebnisse einer solchen Studie vorstellen und die Bereitschaft von MPC für Mehrstrahl-Maskenlithografie bestätigen.
