Calibre EUV

EUV, oder Extremes Ultraviolett, Lithografie ist eine Technologie, die eine sehr kleine Lichtwellenlänge (13,5 nm) verwendet, um Bilder auf Siliziumwafern zu drucken. Es wird benötigt, weil die geringe Wellenlänge von EUV, die kleiner als die Strukturgröße ist, das Drucken viel einfacher macht und unerlässlich ist, um eine Musterauflösung für Knoten mit fortschrittlicher Fertigungstechnologie wie 5 nm, 3 nm und mehr zu erreichen.

Calibre modelliert alle einzigartigen optischen EUV-Effekte wie Flare, was sowohl Nah- als auch Ferneffekte umfasst. Calibre unterstützt die dynamische Modellgenerierung für die Domänenzerlegungsmethode, um eine kontinuierliche Modellierung des Azimutwinkels, der Aberrationen, der Apodisierung und der Quellvariation über den Spalt hinweg ohne Genauigkeitsverlust zu ermöglichen. 3D-Maskeneffekte wie der Abschattungseffekt, der durch den dicken Maskenabsorber verursacht wird, und die außeraxiale Beleuchtung, die über den Spalt hinweg variiert, können genau kompensiert werden. Calibre modelliert auch den Black Border-Effekt, um dessen Bildwirkung durch OPC zu eliminieren. Calibre ist auch für High NA EUV vorbereitet. Calibre ist mit neuen Merkmalen und Funktionen ausgestattet, um anamorphotische Optik von der Modellierung bis hin zu OPC zu unterstützen.

SRAFs sind wahrscheinlich eine Voraussetzung für den 5-nm-Knoten und darunter in der EUV-Lithografie. SRAFs wirken sich positiv auf die Image Log Slope (ILS) aus und reduzieren dadurch die Rauheit der Linienkanten (LER) und erhöhen die Schärfentiefe (DOF). Aufgrund der außeraxialen Beleuchtung des EUV und der unterschiedlichen Abschattungseffekte durch Split können asymmetrische SRAFs sowohl in horizontaler als auch in vertikaler Richtung benötigt werden, und an verschiedenen Spaltpositionen können unterschiedliche SRAFs erforderlich sein.

Die SRAF-Lösung von Calibre kann EUV-Modelle für die SRAF-Platzierung verwenden. Calibre pxOPC kann asymmetrische SRAFs generieren und kann an Ziel-DOF, ILS oder eine Kombination von Zielen angepasst werden. Calibre nmSRAF kann regelbasierte SRAFs mithilfe von PxOPC-Ergebnissen als Vorlage generieren und SRAFs asymmetrisch platzieren. Das Calibre nmCLSRAF bietet Flexibilität für Freiform-SRAF-Formen aus der Inverse Lithography-Engine. Es wendet nacheinander Vorlagen an, bereinigt MRC-Konflikte und kann krummlinige SRAFs auf EUV-Masken generieren.

EUV mit hoher NA (Numerische Apertur) ist eine Weiterentwicklung der EUV-Lithografie (von heute 0,33 NA auf >= 0,5 NA), die für die Erzielung einer Musterauflösung für moderne Technologieknoten erforderlich ist. Calibre ist bereits für High NA EUV vorbereitet. Die Modellierungs- und Maskensyntheseprodukte von Calibre unterstützen bereits anamorphe Optik von der Modellierung über OPC bis hin zu MPC/MDP. Calibre EUV OPC mit Mehrfachstrukturierung hat sich in der Fertigung bewährt und Calibre Source Mask Optimization (SMO) beinhaltet auch erweiterte Funktionen für EUV mit hohem NA.

Calibre bietet einen kompletten Entwurfs- und Fertigungsablauf für EUV-Anwendungen. Die EUV-Lösungen von Calibre begegnen Herausforderungen, indem sie Folgendes bieten:

Vollständige Modellierungsunterstützung für EUV - Die Modellierungstechnologie von Calibre unterstützt vollständig alle EUV-Effekte, einschließlich Flare-, Black Border- und 3D-Maskeneffekte.

Umfassende Produktsuite - Alle modellierten Effekte werden in Calibre-Produkten wie Calibre PxSMO, Calibre pxOPC, Calibre NMOPC, Calibre nmSRAF und Calibre OPCverify berücksichtigt, die heute in Tapeout verwendet werden.

Hierarchische Datenverarbeitung - Calibre EUV Flow basiert auf der Haupthierarchie und verwendet gleichzeitig vollständige globale EUV-Modelle, was einen schnellen und genauen OPC-Fluss ermöglicht.

Krummlinige Datenverarbeitung - Calibre Curvilinear Data Preparation Solutions kann für den gesamten EUV-Masken-Tapeout-Flow aktiviert werden.

Nutzen Sie KI für die Genauigkeit des nächsten Knotens - Calibre EUV beinhaltet fortschrittliche Techniken des maschinellen Lernens zur Beschleunigung der Maskensynthese, was erhebliche Laufzeitverbesserungen bei gleichbleibender Lithografiequalität bietet.