Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) leistete Pionierarbeit beim Geschäftsmodell der reinen Gießerei. Durch die Entscheidung, keine Halbleiterprodukte unter eigenem Namen zu entwickeln, herzustellen oder zu vermarkten, lag der Schlüssel zum Erfolg von TSMC schon immer darin, sich auf den Erfolg seiner Kunden zu konzentrieren. Von TSMC hergestellte Halbleiter bedienen einen großen und vielfältigen globalen Kundenstamm mit einer Vielzahl von Anwendungen, die in einer Vielzahl von Endmärkten eingesetzt werden, darunter Smartphones, Hochleistungscomputer, Internet der Dinge (IoT), Automobilindustrie und digitale Unterhaltungselektronik.
TSMC
Die TSMC EDA Alliance reduziert Designbarrieren für die Kundenakzeptanz der TSMC-Prozesstechnologien. Als Partner der EDA Alliance arbeitet Siemens EDA eng mit den Designtechnologieteams von TSMC zusammen, um die gemeinsamen Designanforderungen der Kunden zu erfüllen, indem neue EDA-Toolfunktionen aktiviert werden, die mit der fortschrittlichen Prozessentwicklungs-Roadmap von TSMC übereinstimmen, sowie die Implementierung der Entwurfsmethodik von TSMC in Referenzabläufen. Durch diese Zusammenarbeit ermöglichen TSMC und Siemens EDA es gemeinsamen Kunden, ihr PPA-Ziel in kürzerer Zeit besser zu erreichen.
TSMC EDA Alliance
TSMC-Abdeckungstabelle
Siemens-EDA-IC-Portfolio | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | Musterabgleich | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Power Integrity und EM | Ausfüllen¹ | Custom Design | Ort und Route | Schaltungssimulation |
14 Angstrom-Klasse (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | PEITSCHEN | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
16 Angstrom-Klasse (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
2 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | WISCHEN | ✔ | | WISCHEN | ✔ |
3 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
4 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
5 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | PEITSCHEN | ✔ | ✔ |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm/22 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
45 nm/40 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
65 nm/55 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ● | ✔ |
90 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
0,13 um /0,11 um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
>=0,18 um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
✔: zertifiziert; WIP: in Arbeit (Stand Januar 2026)
[1]: Calibre SmartFill ist POR (Plan of Record) unter 20 nm und Dummy Fill über 20 nm.
●: Technische Dateien würden von Siemens für die Prozessknoten bereitgestellt, die noch nicht zertifiziert sind. Bitte kontaktieren Sie das Aprisa-Produktteam für Ihre Anfragen.
Workflow-Zertifizierung von IC Packaging
Unsere kontinuierliche Zusammenarbeit mit TSMC hat erfolgreich zu einer automatisierten Workflow-Zertifizierung für ihre Info-Integrationstechnologie geführt, die Teil der 3D-Stoff Plattform. Für gemeinsame Kunden ermöglicht diese Zertifizierung die Entwicklung innovativer und hochdifferenzierter Endprodukte unter Verwendung erstklassiger EDA-Software und branchenführender fortschrittlicher Verpackungsintegrationstechnologien.
Unsere automatisierten Info_OS- und Info_POP-Design-Workflows sind jetzt von TSMC zertifiziert. Zu diesen Workflows gehören Innovator3D IC, HyperLynx DRC, und Calibre nmDRC Technologien.
Integrierter Fanout (INfo)
Wie von TSMC definiert, ist INfo eine innovative Technologieplattform für die Systemintegration auf Wafer-Ebene, die High-Density-RDL (Re-Distribution Layer) und TIV (Through InFo Via) für Verbindungen mit hoher Dichte und Leistung für verschiedene Anwendungen wie Mobilgeräte, Hochleistungscomputer usw. umfasst. Die Info-Plattform bietet verschiedene Paketschemata in 2D und 3D, die für bestimmte Anwendungen optimiert sind.
Info_OS nutzt die InFo-Technologie und verfügt über 2/2µm RDL-Leitungsbreite/Platz mit höherer Dichte, um mehrere fortschrittliche Logikchiplets für 5G-Netzwerkanwendungen zu integrieren. Es ermöglicht Hybrid-Pad-Pitches auf SoC mit einem I/O-Pitch von mindestens 40 µm, einem C4-Cu-Bump-Pitch von mindestens 130 µm und einem InFo mit einer Fadenkreuzgröße von > 65 mm auf Substraten von >65 x 65 mm.
Info_POP, das branchenweit erste Fan-Out-Paket auf 3D-Wafer-Ebene, verfügt über RDL und TIV mit hoher Dichte, um mobile APs mit DRAM-Paketstapeln für mobile Anwendungen zu integrieren. Im Vergleich zu FC_Pop hat Info_Pop ein dünneres Profil und bessere elektrische und thermische Leistungen, weil es kein organisches Substrat und keinen C4-Bump gibt.
Chip auf Wafer auf Substrat (CoWOS)
Integriert Logik und Speicher in 3D-Targeting, KI und HPC. Innovator3D IC erstellt, optimiert und verwaltet ein 3D-Modell der gesamten CoWOS-Gerätebaugruppe.
Wafer auf Wafer (WoW)
Innovator3D IC erstellt, optimiert und verwaltet ein digitales 3D-Zwillingsmodell, das die detaillierte Planung und Überprüfung ermöglicht.
System-on-Integrated-Chips (SoIC)
Innovator3D IC optimiert und verwaltet ein digitales 3D-Zwillingsmodell, das den Entwurf und die anschließende Überprüfung mit Calibre-Technologien vorantreibt.