
Zusammenarbeit mit TSMC zur Weiterentwicklung der KI
Siemens gab heute die Fortsetzung der Zusammenarbeit mit TSMC bekannt, um Innovationen in den Bereichen KI-gestützte Automatisierung und fortschrittliche Halbleiterdesigns voranzutreiben.

Siemens EDA hat sich im täglichen Betrieb von Designfirmen und Gießereien bewährt und unterstützt Fabless-/Foundry-Ökosysteme mit Zusammenarbeit, Innovation und gießereispezifischen Prozessabläufen, die gebaut, getestet und zertifiziert werden.
Die EDA-Werkzeuge von Siemens haben sich in Halbleiter-Gießereien auf der ganzen Welt bewährt. Die Zusammenarbeit mit großen Gießereien gewährleistet den frühesten Zugriff auf die Werkzeuge, die für fortschrittliche Fertigungsprozesse benötigt werden, sowie auf die Funktionalität und Leistung, die für den kontinuierlichen Erfolg an etablierten Prozessknoten erforderlich sind.
GlobalFoundries Inc. (GF) ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller und bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für führende und etablierte Technologien. GlobalFoundries definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es verfahrenstechnische Lösungen mit hohem Funktionsumfang entwickelt und anbietet, die in allgegenwärtigen Wachstumsmärkten eine führende Leistung bieten. GlobalFoundries und Siemens EDA arbeiten häufig an einer Vielzahl von Projekten zusammen, um die Produktivität und die Ergebnisse der Konstruktions-, Verifizierungs- und Fertigungsprozesse für ihre gemeinsamen Kunden zu verbessern.
Siemens-EDA-IC-Portfolio | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | Mustervergleich (DRC+) | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Energieintegrität und EM¹ | LFD | Ausfüllen² | DFM-Wertung | CAA | Custom Design | Ort und Route | Schaltungssimulation |
12 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||
40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||
45 nm³ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ||||||
65/55 nm | ✔ | ✔ 234 | ✔ | ✔ | ✔ ⁵ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||||
>=0,35 um | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: zertifiziert; REQ: nur auf Serviceanfrage
[1]: MPower Digital ist für alle Technologieknoten zertifiziert. Analog wird von GF nicht offiziell unterstützt, aber das MPower-Produktteam kann Kunden auf Anfrage unterstützen.
[2]: Calibre SmartFill ist POR (Plan of Record) unter 20 nm und Dummy Fill über 20 nm.
[3]: Der 45-nm-Prozessknoten unterstützt speziell die HF-SOI-CMOS-Technologie.
[4]: 55 nm hat ein DRC+-Kit, 65 nm jedoch nicht.
[5]: Das Calibre PERC Deck ist nur für 55LP-PDKs erhältlich, aber nicht für andere 65/55-nm-PDKs.
●: Technische Dateien würden von Siemens für diese Prozessknoten bereitgestellt, die nicht zertifiziert sind. Bitte wenden Sie sich bezüglich Ihrer Anfragen an das Aprisa-Produktteam.
Intel Foundry bietet eine breite Palette von Fertigungsdienstleistungen an, um Ihre individuellen Produktanforderungen zu erfüllen, von der Maskengenerierung über die Waferherstellung bis hin zu branchenführenden Sortier- und Testfunktionen. Die fortschrittlichen Paketierungstechniken von Intel ermöglichen die Integration verschiedener Rechenmodule über mehrere Prozesstechnologien hinweg mit Leistungsparametern, die denen eines einzelnen Chips ähneln, aber mit einem Plattformumfang, der die Größenbeschränkung der Single-Die-Integration bei weitem überschreitet. Als weltweit führendes Unternehmen in Forschung und Entwicklung (F&E) und Fertigung ist Intel kontinuierlich bestrebt, branchenführende Plattformlösungen für alle bestehenden und sich entwickelnden Marktsegmente gemeinsam mit unseren Kunden zu optimieren und bereitzustellen.
Die Intel Foundry Accelerator — EDA Alliance engagiert sich für den Aufbau eines ecosystem für das Design und die Herstellung von System-on-Chip (SoCs) der nächsten Generation, die auf modernsten Prozesstechnologien von Intel Foundry hergestellt werden. Die Initiative fördert die Zusammenarbeit zwischen Intel Foundry und seinen Ökosystempartnern, wobei der Schwerpunkt darauf liegt, Risiken zu reduzieren und Designbarrieren zu überwinden und gleichzeitig die Markteinführungszeit für Produkte gemeinsamer Kunden zu verkürzen. Im Rahmen der Allianz wird Siemens EDA eng mit Intel Foundry zusammenarbeiten, um seine erstklassigen IC-Designtools, Abläufe und Methoden für Intels erstklassige Prozesse zu optimieren.
Intel Foundry Accelerator — EDA Alliance
Siemens EDA | Prototypen/Design | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | Musterabgleich | LVS | Parasitäre Extraktion | Thermische Analyse | PERC | Intelligentes Füllen | Schaltungssimulation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
14 Angstrom-Klasse (14A) | ✔ | Gemacht von Foundry | ✔ | CCI zu StarRC | ✔ | ✔ | ✔ | |||
18 Angstrom-Klasse (18A) | ✔ | Erstellt von Foundry | ✔ | CCI zu StarRC* | ✔ | ✔ | ✔ | |||
7 nm (Intel 3) | ✔ | Gemacht von Foundry | ✔ | ✔ | CCI zu StarRC | ✔ | ✔ | |||
16 nm (Intel 16) | ✔ | ✔ | CCI zu StarRC | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
EMIB | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
EMIB-T | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: zertifiziert (Stand Juli 2026)
[*]: XAct wurde für Parasitic Extraction auf dem Intel Foundry 18A-Prozessknoten aktiviert, aber nicht für externe Kunden freigegeben.
Die Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) ist ein kleines Stück Silizium, das in eine Substratkavität für organische Pakete eingebettet ist. Es bietet einen Hochgeschwindigkeits-Die-to-Die-Schnittstellenpfad mit hoher Bandbreite. Siemens bietet einen zertifizierten Entwurfsablauf von DIE/Paket-Co-Design, Funktionsverifizierung, physischem Layout, Thermal-, SI/PI/EMIR-Analyse und Montageverifizierung.
Samsung Foundry bietet wettbewerbsfähige Prozesse, Designtechnologien, geistiges Eigentum und Fertigungskapazitäten für große Stückzahlen für Kunden mit einer vollständigen Palette fortschrittlicher Prozesstechnologien, einschließlich integrierter Paketlösungen für 3D/2,5D und flexible und effiziente Cloud-basierte Designumgebungen. Als Partner in der Samsung Advanced Foundry-Ökosystem (SAFE™) -Programm, Siemens EDA führt gemeinsame Projekte mit Samsung Foundry durch, um die fortschrittlichen Plattformen und Technologien zu ermöglichen, auf die sich ihre gemeinsamen Kunden verlassen, um immer anspruchsvollere Designs zum Leben zu erwecken.
Siemens EDA IC-Portfolio | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | Mustervergleich (Renditekritiker) | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Energieintegrität und EM¹ | LFD | Ausfüllen² | DFM-Wertung | Ort und Route | Schaltungssimulation |
2 nm (SF2*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
3 nm (SF3*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 nm (SF4*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
5 nm (SF5*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
7 nm (SF7*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
11 nm/8 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 FDS | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
90 nm/70 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||||||
0,18 um /0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: zertifiziert (Stand Juli 2026)
[1]: MPower Analog ist für 4LPP, 14LPU, LL1318GPF zertifiziert und MPower Digital ist für 5LPE zertifiziert.
[2]: Calibre SmartFill ist POR (Plan of Record) unter 20 nm und Dummy Fill über 20 nm.
●: Technische Dateien würden von Siemens für die Prozessknoten bereitgestellt, die noch nicht zertifiziert sind. Bitte kontaktieren Sie das Aprisa-Produktteam für Ihre Anfragen.
Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) leistete Pionierarbeit beim Geschäftsmodell der reinen Gießerei. Durch die Entscheidung, keine Halbleiterprodukte unter eigenem Namen zu entwickeln, herzustellen oder zu vermarkten, lag der Schlüssel zum Erfolg von TSMC schon immer darin, sich auf den Erfolg seiner Kunden zu konzentrieren. Von TSMC hergestellte Halbleiter bedienen einen großen und vielfältigen globalen Kundenstamm mit einer Vielzahl von Anwendungen, die in einer Vielzahl von Endmärkten eingesetzt werden, darunter Smartphones, Hochleistungscomputer, Internet der Dinge (IoT), Automobilindustrie und digitale Unterhaltungselektronik.
Die TSMC EDA Alliance reduziert Designbarrieren für die Kundenakzeptanz der TSMC-Prozesstechnologien. Als Partner der EDA Alliance arbeitet Siemens EDA eng mit den Designtechnologieteams von TSMC zusammen, um die gemeinsamen Designanforderungen der Kunden zu erfüllen, indem neue EDA-Toolfunktionen aktiviert werden, die mit der fortschrittlichen Prozessentwicklungs-Roadmap von TSMC übereinstimmen, sowie die Implementierung der Entwurfsmethodik von TSMC in Referenzabläufen. Durch diese Zusammenarbeit ermöglichen TSMC und Siemens EDA es gemeinsamen Kunden, ihr PPA-Ziel in kürzerer Zeit besser zu erreichen.
Siemens-EDA-IC-Portfolio | Prototypen/Design | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | Musterabgleich | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Power Integrity und EM | Ausfüllen¹ | Custom Design | Ort und Route | Schaltungssimulation |
14 Angstrom-Klasse (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | PEITSCHEN | ✔ | PEITSCHEN | ✔ | ||
16 Angstrom-Klasse (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
2 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ [3] | ✔ | ||
3 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
5 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | PEITSCHEN | ✔ | ✔ | |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
28 nm/22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
45 nm/40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
65 nm/55 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |||||
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 um /0,11 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
>=0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
Info_OS | ✔ | ✔ | ||||||||||
Info_POP | ✔ | ✔ |
✔: zertifiziert; WIP: in Arbeit (Stand Juli 2026)
[1]: Calibre SmartFill ist POR (Plan of Record) unter 20 nm und Dummy Fill über 20 nm.
[2]: MPower Analog ist vollständig zertifiziert, während die MPower Digital-Zertifizierung für die neueste Variante der Prozessderivate in Bearbeitung ist.
[3]: Aprisa 2-nm-Unterstützung für die neueste Variante von Prozessderivaten ist ab heute Early Access. Ich arbeite derzeit mit Tier-1-Kunden an N2-Produktionsaufnahmen.
●: Technische Dateien würden von Siemens für die Prozessknoten bereitgestellt, die noch nicht zertifiziert sind. Bitte kontaktieren Sie das Aprisa-Produktteam für Ihre Anfragen.
Unsere kontinuierliche Zusammenarbeit mit TSMC hat erfolgreich zu einer automatisierten Workflow-Zertifizierung für ihre Info-Integrationstechnologie geführt, die Teil der 3D-Stoff Plattform. Für gemeinsame Kunden ermöglicht diese Zertifizierung die Entwicklung innovativer und hochdifferenzierter Endprodukte unter Verwendung erstklassiger EDA-Software und branchenführender fortschrittlicher Verpackungsintegrationstechnologien.
Unsere automatisierten Info_OS- und Info_POP-Design-Workflows sind jetzt von TSMC zertifiziert. Zu diesen Workflows gehören Innovator3D IC, HyperLynx DRC, und Calibre nmDRC Technologien.
Wie von TSMC definiert, ist INfo eine innovative Technologieplattform für die Systemintegration auf Wafer-Ebene, die High-Density-RDL (Re-Distribution Layer) und TIV (Through InFo Via) für Verbindungen mit hoher Dichte und Leistung für verschiedene Anwendungen wie Mobilgeräte, Hochleistungscomputer usw. umfasst. Die Info-Plattform bietet verschiedene Paketschemata in 2D und 3D, die für bestimmte Anwendungen optimiert sind.
Info_OS nutzt die InFo-Technologie und verfügt über 2/2µm RDL-Leitungsbreite/Platz mit höherer Dichte, um mehrere fortschrittliche Logikchiplets für 5G-Netzwerkanwendungen zu integrieren. Es ermöglicht Hybrid-Pad-Pitches auf SoC mit einem I/O-Pitch von mindestens 40 µm, einem C4-Cu-Bump-Pitch von mindestens 130 µm und einem InFo mit einer Fadenkreuzgröße von > 65 mm auf Substraten von >65 x 65 mm.
Info_POP, das branchenweit erste Fan-Out-Paket auf 3D-Wafer-Ebene, verfügt über RDL und TIV mit hoher Dichte, um mobile APs mit DRAM-Paketstapeln für mobile Anwendungen zu integrieren. Im Vergleich zu FC_Pop hat Info_Pop ein dünneres Profil und bessere elektrische und thermische Leistungen, weil es kein organisches Substrat und keinen C4-Bump gibt.
Integriert Logik und Speicher in 3D-Targeting, KI und HPC. Innovator3D IC erstellt, optimiert und verwaltet ein 3D-Modell der gesamten CoWOS-Gerätebaugruppe.
Innovator3D IC erstellt, optimiert und verwaltet ein digitales 3D-Zwillingsmodell, das die detaillierte Planung und Überprüfung ermöglicht.
Innovator3D IC optimiert und verwaltet ein digitales 3D-Zwillingsmodell, das den Entwurf und die anschließende Überprüfung mit Calibre-Technologien vorantreibt.
Tower Semiconductor bietet fortschrittliche analoge Technologien und Fertigungslösungen für Spitzenreiter in den aufregendsten und wachsenden Bereichen der Welt, unter anderem in den Bereichen Automobil, Konsumgüter, Medizin, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung. Tower Semiconductor ist auf maßgeschneiderte analoge Lösungen für die Herstellung differenzierter Produkte spezialisiert und bietet modernste Prozesstechnologien an, darunter Hochfrequenz- (HF), Hochleistungsanalogtechnik (HPA), integriertes Energiemanagement, CMOS-Bildsensoren (CIS), Sensoren ohne Bildgebung (NIS) und Mixed-Signal-CMOS sowie Funktionen für mikroelektromechanische Systeme (MEMS). Als Ergänzung zu seinen fortschrittlichen Technologieplattformen bietet das Unternehmen auch Design-Enablement-Dienstleistungen an, die ausgereifte und wertvolle Tools bereitstellen, die einen schnellen und genauen Designzyklus ermöglichen.
Siemens-EDA-IC-Portfolio | Physische Überprüfung | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Energieintegrität und EM¹ | Custom Design | Schaltungssimulation |
45 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ||
65 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | |
0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | ✔ |
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | ✔ |
>=0,25 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | ✔ |
✔: zertifiziert; REQ: auf Kundenanfrage
[1]: MPower wird auf Kundenwunsch für alle Knoten unterstützt.
Die United Microelectronics Corporation (UMC) bietet hochwertige Hybrid-Bonding oder Chips und Wafer für die 3D-IC-Integration.
Bereitstellung hochwertiger IC-Fertigungsdienstleistungen und verschiedener Spezialtechnologien für alle wichtigen Sektoren der Elektronikindustrie.
Bietet ein Foundry-Design-Kit für die 3D-IC-Baugruppenverifizierung und parasitäre Extraktion mithilfe der Technologien Innovator3D IC Integrator und Calibre. Lesen Sie die Pressemitteilung für weitere Informationen.
Siemens EDA IC-Portfolio | Physische Überprüfung | Doppelte oder mehrfache Musterung | LVS | Parasitäre Extraktion | PERC | Power Integrity und EM | LFD | Ausfüllen¹ | CAA | Custom Design | Schaltungssimulation |
12 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||||
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | WISCHEN | ✔ | ✔ | ||||
17 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | WISCHEN | WISCHEN | ✔ | ||||
22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ERFORDERLICH | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
65 nm/55 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||||
0,13 um /0,11 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: zertifiziert; WIP: in Arbeit; REQ: nur auf Serviceanfrage
[1]: Calibre SmartFill ist POR (Plan of Record) unter 20 nm und Dummy Fill über 20 nm.



