Pro polovodičové OEM je zásadní porozumět vlivu struktury obalu na tepelné chování a spolehlivost, zejména s rostoucí hustotou výkonu a složitostí v moderním vývoji obalů. Výzvy, jako jsou výzvy ve vývoji komplexního systému na čipu (SoC) a 3D IC (integrovaný obvod), znamenají, že tepelný design musí být nedílnou součástí vývoje balíčků. Schopnost podporovat další dodavatelský řetězec pomocí tepelných modelů a modelovacích rad, které přesahují hodnoty datových listů, má na trhu diferencovanou hodnotu.
Pro výrobce elektroniky, kteří integrují zabalené integrované obvody do produktů, je důležité být schopni s přesností předpovědět teplotu spojení součásti na desce s plošnými spoji (PCB) v prostředí na úrovni systému a vyvinout vhodné návrhy tepelného řízení, které jsou nákladově efektivní. Tento pohled poskytují softwarové nástroje pro simulaci chlazení elektroniky. Je žádoucí, aby tepelní inženýři měli k dispozici možnosti modelování věrnosti balíčků IC, aby vyhovovaly různým fázím návrhu a dostupnosti informací. Pro nejvyšší přesnost modelování kritických komponent v přechodných scénářích je možné detailní tepelný model automaticky kalibrovat data přechodného měření teploty křižovatky pomocí řešení Simcenter.
Prozkoumejte tepelnou simulaci balíčku IC
- Pracovní postup tepelného vývoje polovodičového balíčku s vysokou hustotou - sledovat webinář











