Korekce procesu masky (MPC) je dobře zavedena jako nezbytný krok v přípravě dat masky (MDP) pro výrobu masek elektronového paprsku v uzlech pokročilé technologie od 14 nm a dále. MPC obvykle používá model rozptylu elektronů k reprezentaci expozice elektronového paprsku a procesní model k reprezentaci efektů procesu vývoje a leptání. Modely se používají k iterativní simulaci polohy hran prvků rozvržení a k přesunu segmentů hran, aby se maximalizovala přesnost polohy hrany dokončené masky. Selektivní přiřazení dávky lze použít ve spojení s pohybem hrany, aby se současně maximalizovala přesnost procesního okna a polohy hrany.
Metodika MPC pro kalibraci modelu a korekci rozvržení byla vyvinuta a optimalizována pro zapisovače masek ve tvaru vektorového paprsku (VSB), které představují dominantní technologii litografie masky, která se dnes používá pro pokročilou výrobu masek. Nedávno byly představeny zapisovače vícepaprskových masek (MBMW) a nyní se začínají používat při sériové výrobě fotomasek.
Tyto nové nástroje jsou založeny na masivně paralelních architekturách rastrového skenování, které významně snižují závislost času zápisu na složitosti rozvržení a očekává se, že rozšíří a nakonec nahradí technologii VSB pro pokročilé masky uzlů, protože složitost rozvržení stále roste [5] [6].
I když se očekává, že stávající metody MPC vyvinuté pro litografii VSB lze snadno přizpůsobit MBMW, důkladné zkoumání korekce chyb masky pro MBMW je nezbytné k úplnému potvrzení použitelnosti současných nástrojů a metod, a k identifikaci jakýchkoli modifikací, které mohou být vyžadovány k dosažení požadovaného výkonu CD MBMW. V tomto příspěvku představíme výsledky takové studie a potvrdíme připravenost MPC pro litografii masky s více paprsky.
