遮罩過程校正 (MPC) 已成為在 14nm 及以上的先進技術節點製造電子束遮罩的遮罩資料準備 (MDP) 中的必要步驟。MPC 通常使用電子散射模型來表示電子束曝光，以及製程模型來表示開發和蝕刻過程效果。這些模型用於迭代模擬配置特徵邊緣的位置，並移動邊線段，以最大化完成遮色片的邊緣位置精度。選擇性劑量分配可與邊緣移動結合使用，同時最大化製程窗口和邊緣位置精度。
針對向量造型光束 (VSB) 遮罩撰寫器研發並優化了用於模型校正和佈局校正的 MPC 方法，這些方法代表現在進階遮罩製造中使用的主要面膜平版技術。多光束遮罩機 (MBMW) 最近已推出，現在開始用於大量光膜生產中。
這些新工具基於大規模平行點陣式掃描架構，可大幅減少寫入時間對佈局複雜性的依賴，並且預計隨著佈局複雜性持續增加並最終取代先進節點遮罩的 VSB 技術 [5] [6]。
雖然預計現有針對 VSB 平版畫開發的 MPC 方法可以輕鬆適用於 MBMW，但是必須對 MBMW 的遮罩錯誤校正進行嚴格檢查，以完全確認當前工具和方法的適用性，並確定可能需要修改以實現 MBMW 所需 CD 效能的任何修改。在本文中，我們將介紹此類研究的結果，並確認 MPC 對多光束口罩平面印刷的準備性。
