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概述

Calibre Stress Correction

Calibre Stress Correction 同時使用機器學習和傳統實體緊湊型模型,有效預測每個溝槽上的位移值,並校正溝槽變形,以確保 3D 記憶體裝置的可製造性。


請與我們的技術團隊聯繫 1-800-547-3000

矽晶圓反射不同顏色。

主要功能

Calibre Stress Correction 可針對進階記憶體裝置進行分析和校正切割 3D 堆疊的深溝槽失真。

用於應力校正的全片溝槽位移預測

Calibre Stress Correction 執行全晶片溝位移預測,並執行所需的形狀對齊。機器學習引擎和應力校正建模引擎都可以處理數十億個溝槽轉移,以便全片使用。

溝槽位移的全晶片預測能力

用於複雜解析度的機器學習智能

Calibre Stress Correction 配備了神經網絡機器學習 (ML) 模型,無論轉移的複雜原因為何,可從先前的磁帶輸出中學習歷史的溝槽位移資料。ML 模型學習提供了一種簡單的方法來預測具有類似設計規則和相同過程的新版面配置上應力校正的位移值。

神經網絡機器學習的應用

以模型為基礎的預測而無需歷史數據

Calibre Stress Correction 在先前的位移資訊無法使用時,使用緊湊的實體模型來執行位移預測。可根據模型中的實體參數和周圍配置資訊預測位移值,而不需要先前的位移量測。

可選的緊湊型物理模型,用於應力校正

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機芯片設計與製造

Calibre 工具套件可在所有流程節點和設計樣式中提供準確、高效、全面的 IC 驗證和最佳化,同時最大限度地減少資源使用量和磁帶出排程。