Calibre EUV

EUV 或極端紫外線平版是一種使用非常小波長的光線（13.5nm）在矽晶圓上列印圖像的技術。這是必要的，因為 EUV 的小波長，小於功能尺寸，使列印更容易，並且對於 5nm、3nm 等先進製造技術節點實現圖案解析度至關重要。

Calibre 模型所有獨特的 EUV 光學效果，例如閃光燈，其中包括短距離和長距離效果。Calibre 支援網域分解方法的動態模型產生，允許連續建模的方位角、像差、轉化以及整個縫隙中的來源變化，而不會損失準確度。3D 遮罩效果，例如厚遮罩吸收器和軸外照明所造成的陰影效果，可以準確地補償。Calibre 還為黑色邊框效果進行模型，以通過 OPC 消除其成像衝擊。機芯也適用於高 NA EUV。Calibre 配備了新的功能和功能，可支持從模型到 OPC 的異形光學。

SRAF 可能是 EUV 平版畫中 5 奈米及以下節點的要求。SRAF 對影像記錄斜率 (ILS) 產生積極影響，從而降低線邊粗糙度 (LER) 並增強對焦深度 (DOF)。由於 EUV 的軸外照明，以及分割的陰影效果不同，水平和垂直方向可能需要不對稱 SRAF，並且在不同的縫隙位置可能需要不同的 SRAF。

Calibre 的 SRAF 解決方案可以使用 EUV 模型進行 SRAF 放置。Calibre PXoPC 可以產生非對稱 SRAF，並且可以調整為目標 DOF、ILS 或混合目標。Calibre NMSraf 可以使用 PxoPC 結果作為模板生成基於規則的 SRAF，並可以不對稱地放置 SRAF。Calibre NMCLSraf 為反向平版引擎提供自由形式 SRAF 形狀的靈活性。它會依序套用範本，針對 MRC 衝突執行清理，並可在 EUV 遮罩上產生曲線 SRAF。

高 NA（數值光圈）EUV 是 EUV 平版畫的演變（從今天的 0.33 NA 到 >= 0.5 NA），這是為了實現先進技術節點的圖案解析度所需的。機芯已經為高 NA EUV 做好準備。Calibre 的建模和遮罩合成產品已經支持從模型到 OPC 到 MPC/MDP 的異形光學。具有多樣式的 Calibre EUV OPC 經過製造驗證，而 Calibre 源遮罩最佳化 (SMO) 還包含高 NA EUV 的進階功能。

Calibre 為 EUV 應用提供完整的製造流程設計。Calibre 的 EUV 解決方案通過提供以下問題來解決挑戰：

EUV 的完整建模支持- Calibre 的建模技術完全支持所有 EUV 效果，包括眩光，黑色邊框效果和 3D 遮罩效果。

綜合產品套件- 所有模型化效果都會計入 Calibre 產品中，例如 Calibre PXSMO、Calibre PXOPC、Calibre nMOPC、Calibre nMmOpc、Calibre NMSRAF 和 Calibre OPCVerify，這些產品目前用於磁帶輸出。

階層數據處理- Calibre EUV 流程根據主階層架構，同時使用完整的全球 EUV 模型，實現快速準確的 OPC 流程。

曲線數據處理- Calibre 曲線資料準備解決方案可在整個 EUV 遮罩磁帶輸出流程中啟用。

利用 AI 實現下一個節點準確性- Calibre EUV 包括先進的機器學習技術，可加速遮罩合成，提供顯著的運行時改進，同時保持平版畫質量。