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Calibre EUV
全面支援解決高 NA EUV 的獨特挑戰,例如異形光學和遮罩 3D 建模,以考慮陰影效果。
對集成電路 (IC) 的滿足需求繼續推動更小的關鍵維度。光學製程,包括極端紫外線 (EUV),具有越來越複雜性和數據量。我們的計算平版解決方案可實現成本效益的技術支援。
與進階製程節點相關的平版畫挑戰和計算複雜度,都需要運算平版軟體和硬體的進階功能。Calibre 解決方案提供同級最佳的準確度、速度和擁有成本。

密集的光學接近性和過程校正,可實現深微米製造。
將子解析度輔助特徵 (SRAF) 插入到設計中。
強大的全晶片模擬和平版分析。

GUI 用於啟動各種應用程序和查看結果。

光學、阻抗和蝕刻模型的高度擴展校準引擎。
快速、以反向像素為基礎的光學接近校正。
易於使用的 GUI,可優化照源。