Calibre 3D IC

3D 集成電路（3D IC）正在成為半導體產業的設計、製造和包裝的革命性方法。3D IC 在尺寸、性能、功率效率和成本方面提供顯著優勢，準備改變電子設備的環境。然而，3D IC 帶來了新的設計和驗證挑戰，必須解決以確保成功實施。

主要挑戰是確保 3D IC 組件中的主動晶片符合預期的電動運作。設計師必須先定義 3D 堆疊，以便設計工具可以了解組合中所有元件之間的連接和幾何介面。此定義還推動交叉模具寄生耦合影響的自動化，為熱和應力影響的 3D 級分析奠定基礎。

本文概述了 3D IC 設計的主要挑戰和策略。3D IC 中的多物理問題，例如電氣、熱和機械現象的組合效果，比 2D 設計中更複雜，而 3D IC 中使用的新材料引起了不可預測的行為，需要考慮垂直堆疊和互連的更新設計方法。熱分析特別重要，因為熱量積聚會影響電氣性能和機械完整性，從而影響可靠性。實施左移策略可以通過在設計過程早期整合多物理分析來防止昂貴的重新工作，而反覆式設計則可以隨著更準確的數據獲得更準確的情況下進行更精確的決策。該內容針對工作晶片或 3D IC 的 IC 設計師，創建高級多模包包的包裝設計師，以及對 3D IC 技術的最新進展感興趣的任何人。