掩膜工艺校正（MPC）已被公认为在14纳米及以上的先进技术节点上制造电子束掩膜的掩膜数据准备（MDP）的必要步骤。MPC 通常使用电子散射模型来表示电子束暴露，使用过程模型表示显影和蚀刻过程效果。这些模型用于迭代模拟布局要素边缘的位置并移动边缘段，以最大限度地提高已完成掩膜的边缘位置精度。选择性剂量分配可以与边缘移动结合使用，以同时最大限度地提高工艺窗口和边缘位置的精度。
已针对矢量形光束 (VSB) 掩模刻机开发和优化了用于模型校准和布局校正的 MPC 方法，矢量形光束 (VSB) 掩模刻机是当今用于先进掩模制造的主要掩模光刻技术。最近推出了多光束掩模刻机 (MBMW)，现已开始用于批量光掩模生产。
这些新工具基于大规模并行光栅扫描架构，可显著降低写入时间对布局复杂性的依赖，随着布局复杂性的持续增长，预计将增强并最终取代高级节点掩码的VSB技术 [5] [6]。
尽管预计为VSB光刻开发的现有MPC方法可以轻松地适应MBMW，但必须对MBMW的掩模误差校正进行严格检查，以充分确认当前工具和方法的适用性，并确定为实现MBMW所需的CD性能可能需要的任何修改。在本文中，我们将介绍此类研究的结果，并确认MPC已准备好进行多光束掩模光刻。
