Calibre 3D IC

三维集成电路（3D IC）正在成为半导体行业中一种革命性的设计、制造和封装方法。3D IC在尺寸、性能、能效和成本方面具有显著优势，有望改变电子设备的格局。但是，三维集成电路带来了新的设计和验证挑战，必须应对这些挑战才能确保成功实施。

主要挑战是确保 3D IC 组件中的有源小芯片的电气性能符合预期。设计人员必须首先定义三维堆栈，这样设计工具才能理解装配中所有元件的连接和几何接口。该定义还推动了跨晶片寄生耦合冲击的自动化，为热和应力冲击的三维分析奠定了基础。

本文概述了三维集成电路设计中的关键挑战和策略。三维集成电路中的多物理场问题，例如电气、热和机械现象的组合效应，比二维设计更为复杂，而且 3D IC 中使用的新材料会带来不可预测的行为，需要更新设计方法，以考虑垂直堆叠和互连。热分析尤其重要，因为热量积聚会影响电气性能和机械完整性，从而降低可靠性。通过在设计过程的早期集成多物理场分析，实施左移策略可以防止代价高昂的返工，而迭代设计允许在获得更准确的数据时完善决策。该内容面向从事小芯片或三维集成电路的集成电路设计师、创建高级多芯片封装的封装设计师以及任何对3D IC技术最新进展感兴趣的人。