Mô phỏng hồi âm mùa xuân với mạng kết hợp có cổng kết hợp và mô hình không gian trạng thái
Xuất bản trong: ICASSP 2026
M. Wess, J. Janser, D. Dallinger, J. Janser, M. Wess, M. Bittner, D. Schnöll, A. Jantsch
Mô hình hóa hồi âm lò xo tương tự là một thách thức do các hành vi phi tuyến và đuôi dài. Chúng tôi đề xuất GCN-SSM, một mô hình học sâu lai kết hợp các mạng chập có cổng và các mô hình không gian trạng thái. Đạt được chất lượng tri giác hàng đầu, hàng đầu trong ngành, nó chỉ yêu cầu 125.7k thông số và cho phép triển khai CPU hiện đại.
Xem tại trang của nhà xuất bản
Phân tích hành vi vật liệu và kiểm tra độ mỏi hàn và kết quả dự đoán cho chu kỳ nhiệt dài hạn
Xuất bản trong: Hội nghị quốc tế lần thứ 26 về mô phỏng nhiệt, cơ học và đa vật lý và thí nghiệm trong vi điện tử và vi hệ thống (EuroSime)
Peter Fruehauf, Andreas Weigert, Rainer Dudek, Kerstin Kreyssig, Matthias Prinz, Susana Richter Trummer, Sven Rzepka
Nghiên cứu này xác nhận các mô phỏng FE dựa trên các thử nghiệm nhiệt 13 năm để dự đoán tuổi thọ mỏi trong các thành phần FBGA277 và QFN. Việc tính đến quá trình lão hóa vật liệu và độ co ngót trong các hợp chất đúc là điều cần thiết, bỏ qua lật co ngót tính toán độ cong vênh. Các định luật Creep Anand cũ phù hợp với các mô hình lỗi vật lý, không giống như dữ liệu chưa được lưu trữ.
Xem tại trang của nhà xuất bản
Bề mặt thông minh có thể cấu hình lại cho tự động hóa công nghiệp: Yêu cầu thuật toán đo, mô phỏng và điều khiển lan truyền mmWave
Xuất bản trong: 2024 Hội nghị chuyên đề quốc tế thứ 35 của IEEE về Truyền thông vô tuyến cá nhân, trong nhà và di động (PIMRC)
L.W. Mayer, A. Hofmann, M.Schiefer, H. Radpour, M.Hofer, D. Löschenbrand, T. Zemen
Nghiên cứu của chúng tôi trình bày một bề mặt thông minh có thể cấu hình lại 127 phần tử hoạt động (RIS) hoạt động ở tốc độ 23,8 GHz bỏ qua tắc nghẽn đường ngắm trong môi trường mmWave công nghiệp. Được điều khiển thông qua khuếch đại dựa trên FET, nó tập trung hiệu quả các tín hiệu vào các điểm mục tiêu. Các phép đo xác nhận hiệu suất chiều rộng chùm tia, cung cấp các tiêu chí cập nhật thực tế để theo dõi trong nhà di động.
Xem tại trang của nhà xuất bản
Mô hình hóa các bóng bán dẫn SiC và GaN dựa trên các phép đo thông số S xung
Xuất bản trong: Tháng 12 năm 2025, Thiết bị và Linh kiện Điện tử Nguồn
Martin Hergt, Bernhard Hammer, Martin Sack, Lukas W. Mayer, Sebastian Nielebock, Marc Hiller
Trong dự án nghiên cứu này, chúng tôi đã rút ra một mô hình 12 phần tử chính xác cho các bóng bán dẫn công suất SiC MOSFET và GaN HEMT sử dụng các phép đo tham số S xung từ 2 MHz đến 500 MHz. Bao gồm các vùng chèn ép, ohmic và hoạt động, mô hình được điều chỉnh lặp đi lặp lại thể hiện sự phù hợp tuyệt vời với các phép đo ban đầu cho bộ biến tần nhanh.
Xem tại trang của nhà xuất bản
Điều khiển chuyển động dựa trên AI với tính linh hoạt động của hệ thống
Xuất bản trong: 2024 Energy Conversion Congress & Expo Europe (ECCE Europe)
Niklas Körwer; Martin Bischoff; Michael Laumen; Rik W. De Doncker
Các thuật toán trong máy sản xuất ngày nay đang trở nên phức tạp hơn mỗi ngày để theo kịp nhu cầu thị trường về tăng năng suất và tính linh hoạt. Bài báo này đề xuất sử dụng học tập tăng cường và mạng nơ-ron để đẩy nhanh quá trình phát triển điều khiển chuyển động cho các máy sản xuất. Được đào tạo trên cặp song sinh kỹ thuật số, mạng điều chỉnh các điểm đặt động cơ theo động lực của bộ chuyển đổi tần số, giảm các lỗi sau, điều khiển trơn tru và cho phép tái sử dụng linh hoạt trên các cấu hình máy khác nhau.
Xem tại trang của nhà xuất bản
