Korekcija procesa maski (MPC) je dobro uspostavljena kao neophodan korak u pripremi podataka o maskama (MDP) za proizvodnju maski elektronskog snopa na čvorovima napredne tehnologije od 14nm i dalje. MPC obično koristi model rasipanja elektrona za predstavljanje izloženosti e-snopu i procesni model za predstavljanje efekata razvoja i nagrizanja procesa. Modeli se koriste za iterativnu simulaciju položaja ivica karakteristika rasporeda i pomeranje segmenata ivica kako bi se maksimizirala tačnost položaja ivice završene maske. Selektivno dodeljivanje doze može se koristiti zajedno sa kretanjem ivice kako bi se istovremeno povećala tačnost prozora procesa i položaja ivice.
MPC metodologija za kalibraciju modela i korekciju rasporeda razvijena je i optimizovana za pisce maski u obliku vektorskog snopa (VSB) koji predstavljaju dominantnu tehnologiju litografije maski koja se danas koristi za naprednu proizvodnju maski. Pisači maski sa više zraka (MBMV) nedavno su predstavljeni i sada počinju da se koriste u proizvodnji obimnih fotomaski.
Ovi novi alati zasnivaju se na masovno paralelnim arhitekturama rasterskog skeniranja koje značajno smanjuju zavisnost vremena pisanja od složenosti izgleda i očekuje se da će povećati i na kraju zameniti VSB tehnologiju za napredne maske čvorova kako složenost izgleda nastavlja da raste [5] [6].
Iako se očekuje da se postojeće MPC metode razvijene za VSB litografiju mogu lako prilagoditi MBMV, potrebno je rigorozno ispitivanje korekcije grešaka maske za MBMV da bi se u potpunosti potvrdila primenljivost trenutnih alata i metoda i identifikovale sve modifikacije koje mogu biti potrebne za postizanje željenih performansi CD-a MBMV. U ovom radu ćemo predstaviti rezultate takve studije i potvrditi spremnost MPC-a za litografiju maski sa više zraka.
