A Correção do Processo de Máscara (MPC) está bem estabelecida como uma etapa necessária na preparação de dados de máscara (MDP) para a fabricação de máscaras de feixe de elétrons em nós de tecnologia avançada de 14 nm e além. O MPC normalmente usa um modelo de dispersão de elétrons para representar a exposição ao feixe eletrônico e um modelo de processo para representar os efeitos do processo de desenvolvimento e gravação. Os modelos são usados para simular iterativamente a posição das bordas dos recursos de layout e mover segmentos de borda para maximizar a precisão da posição da borda da máscara completa. A atribuição seletiva de dose pode ser usada em conjunto com o movimento da borda para maximizar simultaneamente a precisão da janela do processo e da posição da borda.
A metodologia MPC para calibração de modelos e correção de layout foi desenvolvida e otimizada para os gravadores de máscaras de feixe em forma de vetor (VSB) que representam a tecnologia de litografia de máscara dominante em uso atualmente para fabricação avançada de máscaras. Os gravadores de máscaras de feixe múltiplo (MBMW) foram introduzidos recentemente e agora estão começando a ser usados na produção de máscaras fotográficas em volume.
Essas novas ferramentas são baseadas em arquiteturas de varredura raster massivamente paralelas que reduzem significativamente a dependência do tempo de gravação na complexidade do layout e espera-se que aumentem e, eventualmente, substituam a tecnologia VSB por máscaras de nós avançadas à medida que a complexidade do layout continua a crescer [5] [6].
Embora seja esperado que os métodos MPC existentes desenvolvidos para litografia VSB possam ser facilmente adaptados ao MBMW, um exame rigoroso da correção de erros de máscara para MBMW é necessário para confirmar totalmente a aplicabilidade das ferramentas e métodos atuais e para identificar quaisquer modificações que possam ser necessárias para alcançar o desempenho de CD desejado do MBMW. Neste artigo, apresentaremos os resultados desse estudo e confirmaremos a prontidão do MPC para litografia com máscara de feixe múltiplo.




