Skip to main content
Esta página é exibida usando tradução automática. Prefere ver em inglês?

Visão geral

Calibre EUV

O pequeno comprimento de onda do EUV permite o avanço contínuo para nós de tecnologia menores. O Calibre EUV fornece um design completo por meio do fluxo de fabricação para aplicações EUV, contabilizando todos os efeitos EUV modelados em toda a plataforma Calibre em várias ferramentas para processamento rápido e preciso.

Bolachas de silicone em caixa de suporte de plástico
Artigo técnico

Opções EUV de chip completo para via lógica e padronização de metal

A geração de máscaras curvilíneas EUV de chip completo oferece uma janela máxima de processo, mas a tecnologia usada para produzir essas máscaras permanece muito lenta para a fabricação lógica de chip completo. Analisamos várias abordagens alternativas para usar apenas a tecnologia de litografia inversa (ILT) que oferecem um tempo de execução de 4 a 100 vezes mais rápido com métricas litográficas muito semelhantes.

O que você aprenderá:

  • Por que a tecnologia de litografia inversa (ILT) não é prática para a geração de máscaras curvilíneas EUV de chip completo.
  • Quais abordagens alternativas existem com um tempo de execução mais rápido que também atingem a janela máxima do processo.
  • Como produzir máscaras de saída curvilíneas com tempo de execução entre 4x e 100x mais rápido.
Doctor in white coat examining patient's throat with tongue depressor
Capacidades em destaque

Recursos EUV de alto NA para alcançar a resolução do próximo nó

A modelagem OPC e a multipadronização de calibre EUV oferecem suporte abrangente para abordar os desafios exclusivos do EUV com alto teor de NA, como óptica anamórfica (para otimização de fonte, modelagem, ampliação, MRC e costura de campo) e modelagem 3D de máscara para considerar os efeitos de sombreamento de EUV com alto teor de NA.

Explore recursos e produtos relacionados

Perguntas frequentes sobre o Calibre EUV