Korekcja procesu maski (MPC) jest dobrze ugruntowana jako niezbędny etap w przygotowaniu danych masek (MDP) do produkcji masek wiązek elektronów w zaawansowanych węzłach technologicznych od 14 nm i więcej. MPC zazwyczaj wykorzystuje model rozproszenia elektronów do reprezentowania ekspozycji wiązki elektronowej oraz model procesu do reprezentowania efektów procesu rozwoju i wytrawiania. Modele służą do iteracyjnej symulacji położenia krawędzi elementów układu i przesuwania segmentów krawędzi, aby zmaksymalizować dokładność położenia krawędzi ukończonej maski. Selektywne przypisywanie dawki może być stosowane w połączeniu z ruchem krawędzi, aby jednocześnie zmaksymalizować dokładność okna procesu i położenia krawędzi.
Metodologia MPC do kalibracji modelu i korekcji układu została opracowana i zoptymalizowana dla pisarzy masek w kształcie wiązki wektorowej (VSB), które reprezentują dominującą technologię litografii masek stosowaną obecnie w zaawansowanej produkcji masek. Niedawno wprowadzono zapisy masek wielowiązkowych (MBMW) i teraz zaczynają być używane w produkcji masek fotomaskowych.
Te nowe narzędzia są oparte na masowo równoległych architekturach skanowania rastrowego, które znacznie zmniejszają zależność czasu zapisu od złożoności układu i oczekuje się, że rozszerzą i ostatecznie zastąpią technologię VSB dla zaawansowanych masek węzłów w miarę wzrostu złożoności układu [5] [6].
Chociaż oczekuje się, że istniejące metody MPC opracowane dla litografii VSB można łatwo dostosować do MBMW, rygorystyczne badanie korekcji błędów maski dla MBMW jest konieczne, aby w pełni potwierdzić zastosowanie obecnych narzędzi i metod oraz zidentyfikować wszelkie modyfikacje, które mogą być wymagane do osiągnięcia pożądanej wydajności CD MBMW. W niniejszym artykule przedstawimy wyniki takiego badania i potwierdzimy gotowość MPC do litografii masek wielowiązkowych.
