Calibre EUV

EUV, of Extreem Ultraviolet, lithografie is een technologie waarbij een zeer kleine golflengte van licht (13,5 nm) wordt gebruikt om beelden af te drukken op siliciumwafels. Dat is nodig omdat de kleine golflengte van EUV, die kleiner is dan de grootte van de functie, het afdrukken veel eenvoudiger maakt en essentieel is voor het bereiken van een patroonresolutie voor knooppunten met geavanceerde productietechnologie, zoals 5 nm, 3 nm en meer.

Calibre modelleert allemaal unieke optische EUV-effecten, zoals zonnevlammen, waaronder effecten op zowel korte als lange afstand. Calibre ondersteunt dynamische modelgeneratie voor de domeindecompositiemethode om continue modellering van de azimuthale hoek, aberraties, apodisatie en de bronvariatie over de spleet mogelijk te maken zonder verlies van nauwkeurigheid. 3D-maskereffecten, zoals het schaduweffect veroorzaakt door de dikke maskerabsorbeerder en de verlichting buiten de as, die over de spleet varieert, kunnen nauwkeurig worden gecompenseerd. Calibre modelleert ook het effect van de zwarte rand om het effect op de beeldvorming via OPC te elimineren. Calibre is ook voorbereid voor High NA EUV. Calibre is uitgerust met nieuwe functies en functies ter ondersteuning van anamorfe optica, van modellering tot OPC.

SRAF's zijn waarschijnlijk een vereiste voor de 5nm-knoop en lager in EUV-lithografie. SRAF's hebben een positief effect op de beeldloghelling (ILS), waardoor de lijnrandruwheid (LER) wordt verminderd en de scherpsteldiepte (DOF) wordt verbeterd. Vanwege de belichting buiten de as van de EUV en de variërende schaduweffecten als gevolg van gesplitste, kunnen asymmetrische SRAF's nodig zijn in zowel horizontale als verticale richtingen, en kunnen verschillende SRAF's nodig zijn op verschillende spleetlocaties.

De SRAF-oplossing van Calibre kan EUV-modellen gebruiken voor SRAF-plaatsing. Calibre PxOpc kan asymmetrische SRAF's genereren en kan worden aangepast aan de DOF, ILS of een combinatie van doelstellingen. Calibre NMSraf kan op regels gebaseerde SRAF's genereren met PxOpC-resultaten als sjabloon en kan SRAF's asymmetrisch plaatsen. Calibre NMcLsraf biedt flexibiliteit voor SRAF-vormen in vrije vorm met behulp van de Inverse Lithography-engine. Het past achtereenvolgens sjablonen toe, voert een opruiming uit voor MRC-conflicten en kan kromlijnige SRAF's genereren op EUV-maskers.

EUV met hoge NA (Numerical Aperture) is een evolutie van de EUV-lithografie (van de huidige 0,33 NA naar >= 0,5 NA) die nodig is om een patroonresolutie te bereiken voor een knooppunt met geavanceerde technologie. Calibre is al voorbereid op High NA EUV. De producten van Calibre voor modellering en maskersynthese ondersteunen nu al anamorfe optica, van modellering via OPC tot MPC/MDP. Calibre EUV OPC met meerdere patronen is in de productie bewezen en Calibre Source Mask Optimization (SMO) bevat ook geavanceerde functies voor EUV met een hoge NA.

Calibre biedt een compleet ontwerp tot en met de fabricage voor EUV-toepassingen. De EUV-oplossingen van Calibre pakken uitdagingen aan door te voorzien in:

Volledige modellenondersteuning voor EUV - De modelleertechnologie van Calibre biedt volledige ondersteuning voor alle EUV-effecten, waaronder overstraling, effect met zwarte rand en 3D-maskereffecten.

Uitgebreide productsuite - Alle gemodelleerde effecten worden verwerkt in Calibre-producten zoals Calibre PxSMO, Calibre PxOpc, Calibre NMoPC, Calibre NMSraf en Calibre OpcVerify, die tegenwoordig bij tapeout worden gebruikt.

Hiërarchische gegevensverwerking - De EUV-flow van Calibre is afgestemd op de hoofdriërarchie, waarbij gebruik wordt gemaakt van volledige wereldwijde EUV-modellen, waardoor een snelle en nauwkeurige OPC-stroom mogelijk is.

Kromlijnige gegevensverwerking - Calibre Curvilinear Data Preparation Solutions kunnen worden ingeschakeld voor de volledige tapeout-flow van het EUV-masker.

Maak gebruik van AI voor de nauwkeurigheid van de volgende knooppunten - Calibre EUV bevat geavanceerde technieken voor machinaal leren om de synthese van maskers te versnellen, wat aanzienlijke verbeteringen in de looptijd biedt met behoud van de lithografische kwaliteit.