마스크 공정 보정 (MPC) 은 14nm 이상의 첨단 기술 노드에서 전자 빔 마스크 제조를 위한 마스크 데이터 준비 (MDP) 의 필수 단계로 잘 자리 잡았어요.MPC는 보통 전자 산란 모델을 사용하여 전자빔 노출을 나타내고 프로세스 모델을 사용하여 현상 및 에칭 프로세스 효과를 표현해요.모델은 레이아웃 피처 가장자리의 위치를 반복적으로 시뮬레이션하고 가장자리 세그먼트를 이동하여 완성된 마스크의 가장자리 위치 정확도를 최대화하는 데 사용돼요.선택적 용량 할당을 에지 이동과 함께 사용하여 프로세스 창과 에지 위치 정확도를 동시에 극대화할 수 있어요.
모델 캘리브레이션과 레이아웃 보정을 위한 MPC 방법론이 개발되어 오늘날 첨단 마스크 제조에 사용되는 주요 마스크 리소그래피 기술을 대표하는 벡터 모양 빔 (VSB) 마스크 라이터용으로 최적화됐어요.멀티빔 마스크 라이터 (MBMW) 가 최근에 도입되어 이제 대량 포토마스크 생산에 사용하기 시작했어요.
이 새로운 도구들은 레이아웃 복잡성에 대한 쓰기 시간의 의존도를 크게 줄여주는 대규모 병렬 래스터 스캔 아키텍처를 기반으로 하고 레이아웃 복잡성이 계속 증가함에 따라 고급 노드 마스크에 대한 VSB 기술을 보강하고 결국에는 대체할 것으로 기대돼요 [5] [6].
VSB 리소그래피용으로 개발된 기존 MPC 방법을 MBMW에 쉽게 적용할 수 있을 것으로 예상되지만, 현재 도구와 방법의 적용 가능성을 완전히 확인하고 MBMW의 원하는 CD 성능을 달성하는 데 필요한 수정 사항을 식별하려면 MBMW의 마스크 오류 수정을 엄격하게 검사해야 해요.이 백서에서는 그러한 연구 결과를 발표하고 멀티빔 마스크 리소그래피를 위한 MPC의 준비 상태를 확인할 거예요.
