지난 10년간 포토닉스 기술은 마이크로일렉트로닉스의 광 통신 및 광 인터커넥트에 떠오르는 기술이었어요.그 결과 매우 다양한 포토닉스 설계 방법론이 매우 어려운 스케일과 형태와 합쳐졌어요.이렇게 곡선적이고 중요한 포토닉스 모양을 제조하려면 193 nm 침지 리소그래피를 사용한 역 리소그래피 기술 (ILT) 을 포함한 고급 해상도 향상 기술 (RET) 이 필요해요.이 백서에서는 첨단 ILT 솔루션을 사용하는 여러 포토닉스 장치의 제조 문제와 SRAF 삽입이 우수한 리토 품질을 제공하는 데 미치는 영향을 조사했어요. 에지 배치 오류 (EPE), PV밴드, 라인 엣지 거칠기 (LER) 도 포함해서요.Calibre ILT 솔루션으로 어떻게 가장 난이도 높은 포토닉스 설계를 제조할 수 있는지 보여드릴게요.
