マスクプロセス補正（MPC）は、14nm以上の先端技術ノードでの電子ビームマスク製造のマスクデータ準備（MDP）に必要なステップとして定評があります。MPCは通常、電子ビームへの露出を表すには電子散乱モデルを使用し、現像とエッチングのプロセス効果を表すにはプロセスモデルを使用します。モデルは、レイアウトフィーチャーのエッジの位置を繰り返しシミュレートし、完成したマスクのエッジ位置の精度を最大化するためにエッジセグメントを移動するために使用されます。選択的な投与量の割り当てをエッジの動きと組み合わせて使用すると、プロセスウィンドウとエッジ位置の精度を同時に最大化できます。
モデルキャリブレーションとレイアウト修正のためのMPC方法論は、高度なマスク製造で現在使用されている主要なマスクリソグラフィ技術を代表するベクトルシェイプビーム（VSB）マスクライター向けに開発され、最適化されています。マルチビームマスクライター（MBMW）が最近導入され、フォトマスクの大量生産に使用され始めています。
これらの新しいツールは、レイアウトの複雑さに対する書き込み時間の依存を大幅に減らす超並列ラスタースキャンアーキテクチャに基づいており、レイアウトの複雑さが増し続けるにつれて、高度なノードマスクのVSBテクノロジーを強化し、最終的にはVSBテクノロジーに取って代わることが期待されています [5] [6]。
VSBリソグラフィ用に開発された既存のMPC法はMBMWに簡単に適応できると期待されていますが、現在のツールと方法の適用性を十分に確認し、MBMWの望ましいCD性能を達成するために必要となる可能性のある変更を特定するには、MBMWのマスクエラー修正を厳密に検討する必要があります。この論文では、このような研究の結果を提示し、マルチビーム・マスク・リソグラフィに対するMPCの準備状況を確認します。
