A maszkfolyamatkorrekció (MPC) jól megalapozott, mint a maszkadatok előkészítésének (MDP) szükséges lépése az elektronsugaras maszk gyártásához a fejlett technológiai csomópontokon 14 nm-től és azon túl. Az MPC jellemzően elektronszórási modellt használ az e-sugár expozíció ábrázolására, és egy folyamatmodellt a fejlesztési és marási folyamathatások ábrázolására. A modellek az elrendezési jellemzők éleinek helyzetének iteratív szimulálására és az élszegmensek mozgatására szolgálnak a befejezett maszk élpozíciójának pontosságának maximalizálása érdekében. A szelektív dóziskiosztás az élmozgással együtt alkalmazható a folyamatablak és az élpozíció pontosságának egyidejű maximalizálása érdekében.
A modell kalibrálására és elrendezési korrekciójára szolgáló MPC módszertant fejlesztették ki és optimalizálták a vektor alakú gerenda (VSB) maszkírókhoz, amelyek a fejlett maszkgyártáshoz ma használt domináns maszk litográfiai technológiát képviselik. A közelmúltban mutatták be a többsugaras maszkírókat (MBMW), és most már elkezdik használni a mennyiségi fotomaszk-gyártásban.
Ezek az új eszközök tömegesen párhuzamos raszteres szkennelési architektúrákon alapulnak, amelyek jelentősen csökkentik az írási idő függését az elrendezés összetettségétől, és várhatóan bővítik és végül felváltják a VSB technológiát a fejlett csomópont-maszkokra, mivel az elrendezés komplexitása tovább növekszik [5] [6].
Bár várható, hogy a VSB litográfiához kifejlesztett meglévő MPC módszerek könnyen adaptálhatók az MBMW-hoz, az MBMW maszkhibajavításának szigorú vizsgálata szükséges a jelenlegi eszközök és módszerek alkalmazhatóságának teljes megerősítéséhez, valamint az MBMW kívánt CD-teljesítményének eléréséhez szükséges módosítások azonosításához. Ebben a cikkben bemutatjuk egy ilyen tanulmány eredményeit, és megerősítjük az MPC készségét a többsugaras maszk litográfiára.
