Maskiprosessin korjaus (MPC) on vakiintunut välttämättömäksi vaiheeksi maskitietojen valmistelussa (MDP) elektronisuihdemaskin valmistuksessa edistyneen teknologian solmuissa 14 nm: n ja sen jälkeen. MPC käyttää tyypillisesti elektronien sirontamallia edustamaan e-säteen altistumista ja prosessimallia edustamaan prosessivaikutuksia kehittämiseen ja syövyttämiseen. Malleja käytetään iteratiivisesti simuloimaan asetteluominaisuuksien reunojen sijaintia ja siirtämään reunasegmenttejä valmiin maskin reuna-asennon tarkkuuden maksimoimiseksi. Valikoivaa annosmääritystä voidaan käyttää yhdessä reunan liikkeen kanssa prosessin ikkunan ja reuna-asennon tarkkuuden maksimoimiseksi samanaikaisesti.
MPC-menetelmä mallin kalibrointiin ja asettelun korjaamiseen on kehitetty ja optimoitu vektorimaisen säteen (VSB) maskien kirjoittajille, jotka edustavat hallitsevaa maskilitografiatekniikkaa, jota käytetään nykyään edistyneessä maskien valmistuksessa. Usean säteen naamioiden kirjoittajat (MBMW) on äskettäin otettu käyttöön, ja niitä aletaan nyt käyttää volyymifotomaskien tuotannossa.
Nämä uudet työkalut perustuvat massiivisesti rinnakkaisiin rasteriskannausarkkitehtuureihin, jotka vähentävät merkittävästi kirjoitusajan riippuvuutta asettelun monimutkaisuudesta ja joiden odotetaan lisäävän ja lopulta korvaavan VSB-tekniikkaa edistyneille solmumaskeille asettelun monimutkaisuuden kasvaessa [5] [6].
Vaikka odotetaan, että olemassa olevat VSB-litografiaa varten kehitetyt MPC-menetelmät voidaan helposti mukauttaa MBMW: hen, MBMW:n maskivirheenkorjauksen tarkka tutkimus on tarpeen nykyisten työkalujen ja menetelmien soveltuvuuden varmistamiseksi ja mahdollisten muutosten tunnistamiseksi, joita voidaan tarvita MBMW:n halutun CD-suorituskyvyn saavuttamiseksi. Tässä artikkelissa esitämme tällaisen tutkimuksen tulokset ja vahvistamme MPC: n valmiuden monisäteisen maskin litografiaan.
