Calibre EUV

La litografía EUV, o ultravioleta extremo, es una tecnología que utiliza una longitud de onda de luz muy pequeña (13,5 nm) para imprimir imágenes en obleas de silicio. Es necesario porque la pequeña longitud de onda del EUV, al ser inferior al tamaño de la función, facilita mucho la impresión y es esencial para lograr la resolución de patrones en los nodos de tecnología de fabricación avanzada, como 5 nm, 3 nm y más.

Calibre modela todos los efectos ópticos UV únicos, como el destello, que incluye efectos de corto y largo alcance. Calibre admite la generación de modelos dinámicos para el método de descomposición de dominios, lo que permite modelar continuamente el ángulo acimutal, las aberraciones, la apodización y la variación de la fuente a lo largo de la rendija sin pérdida de precisión. Los efectos de máscara 3D, como el efecto de sombra provocado por el grueso absorbedor de máscara y la iluminación fuera del eje, que varía según la rendija, se pueden compensar con precisión. Calibre también modela el efecto de borde negro para eliminar su impacto en la imagen a través del OPC. Calibre también está preparado para High NA EUV. Calibre está equipado con nuevas funciones y funciones para soportar la óptica anamórfica, desde el modelado hasta el OPC.

Es probable que los SRAF sean un requisito para el nodo de 5 nm o menos en la litografía EUV. Los SRAF tienen un impacto positivo en la pendiente del registro de imagen (ILS), ya que reducen la rugosidad del borde de la línea (LER) y mejoran la profundidad de enfoque (DOF). Debido a la iluminación fuera del eje de la EUV y a los diferentes efectos de sombra debido a la división, es posible que se necesiten SRAF asimétricos tanto en la dirección horizontal como en la vertical, y es posible que se necesiten diferentes SRAF en diferentes ubicaciones de las rendijas.

La solución SRAF de Calibre puede utilizar modelos EUV para colocarla en la SRAF. Calibre pxOPC puede generar SRAF asimétricos y se puede ajustar para apuntar al DOF, al ILS o a una combinación de objetivos. Calibre NMSRAF puede generar SRAF basados en reglas utilizando los resultados de PxOPC como plantilla y puede colocar los SRAF de forma asimétrica. Calibre NmclSraf proporciona flexibilidad para las formas libres del SRAF gracias al motor de litografía inversa. Aplica plantillas de forma secuencial, realiza la limpieza de los conflictos del MRC y puede generar SRAF curvilíneos en las máscaras EUV.

La alta NA (apertura numérica) EUV es una evolución de la litografía EUV (de los 0,33 NA actuales a >= 0,5 NA) que se requiere para lograr la resolución de patrones en un nodo de tecnología avanzada. Calibre ya está preparado para High NA EUV. Los productos de modelado y síntesis de máscaras de Calibre ya son compatibles con la óptica anamórfica, desde el modelado a través del OPC hasta el MPC/MDP. Calibre EUV OPC con patrones múltiples está probado en fabricación y la optimización de la máscara fuente (SMO) de Calibre también incluye funciones avanzadas para el EUV de alta NA.

Calibre ofrece un diseño completo a través del flujo de fabricación para aplicaciones EUV. Las soluciones EUV de Calibre abordan los desafíos al ofrecer:

Soporte completo de modelado para EUV - La tecnología de modelado de Calibre es totalmente compatible con todos los efectos UV, incluidos los efectos de destello, borde negro y máscara 3D.

Amplia gama de productos - Todos los efectos modelados se tienen en cuenta en productos de Calibre, como Calibre PXsMO, Calibre pxOPC, Calibre nMOPC, Calibre nMSRAF y Calibre OPCVerify, que se utilizan hoy en día en cinta.

Procesamiento jerárquico de datos - Calibre EUV flow está diseñado según la jerarquía principal y utiliza modelos EUV globales completos, lo que permite un flujo de OPC rápido y preciso.

Procesamiento de datos curvilíneos - Las soluciones de preparación de datos curvilíneos de Calibre se pueden activar en todo el flujo de cinta adhesiva de máscaras EUV.

Aproveche la IA para obtener la precisión del siguiente nodo - Calibre EUV incluye técnicas avanzadas de aprendizaje automático para acelerar la síntesis de máscaras, lo que ofrece importantes mejoras de tiempo de ejecución y, al mismo tiempo, mantiene la calidad de la litografía.