
Colaboración con TSMC para promover la IA
Siemens anunció hoy la continuación de su colaboración con TSMC para impulsar la innovación en la automatización impulsada por la IA y la habilitación avanzada del diseño de semiconductores.

La EDA de Siemens, que ha demostrado su eficacia en las operaciones diarias de empresas de diseño y fundiciones, apoya los ecosistemas de fábulas y fundiciones con la colaboración, la innovación y los flujos de procesos específicos de la fundición que se crean, prueban y certifican.
Las herramientas EDA de Siemens están probadas en fundiciones de semiconductores de todo el mundo. La colaboración con las principales fundiciones garantiza el acceso más rápido a las herramientas necesarias para los procesos de fabricación avanzados, así como a la funcionalidad y el rendimiento necesarios para un éxito continuo en los nodos de proceso establecidos.
GlobalFoundries Inc. (GF) es uno de los principales fabricantes de semiconductores del mundo y ofrece una combinación única de servicios de diseño, desarrollo y fabricación para tecnologías de vanguardia y convencionales. GlobalFoundries está redefiniendo la innovación y la fabricación de semiconductores mediante el desarrollo y el suministro de soluciones de tecnología de procesos con numerosas funciones que proporcionan un rendimiento de liderazgo en los mercados generalizados de alto crecimiento. GlobalFoundries y Siemens EDA colaboran con frecuencia en una amplia gama de proyectos para mejorar la productividad y los resultados de los procesos de diseño, verificación y fabricación para sus clientes comunes.
Cartera EDA IC de Siemens | Verificación física | Patrón doble o múltiple | Coincidencia de patrones (DRC+) | LVS | Extracción parasitaria | PERC | Integridad energética y EM¹ | LFD | Rellenar 2 | Puntuación de DFM | CAA | Custom Design | Lugar y ruta | Simulación de circuitos |
12 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||
40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||
45 nm³ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ||||||
65/55 nm | ✔ | ✔ 4 | ✔ | ✔ | ✔ 5 | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||||
>=0,35 um | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: certificado; requisito: únicamente mediante solicitud de servicio
[1]: mPower Digital cuenta con la certificación para todos los nodos tecnológicos. GF no apoya oficialmente lo analógico, pero el equipo de productos de mPower puede ayudar a los clientes a petición.
[2]: Calibre SmartFill es POR (plan de registro) por debajo de 20 nm y Dummy Fill por encima de 20 nm.
[3]: El nodo de proceso de 45 nm es compatible específicamente con la tecnología RF SOI CMOS.
[4]: 55 nm tienen un kit DRC+, pero 65 nm no.
[5]: El deck de Calibre PERC solo está disponible para el PDK de 55 LP, pero no para otros PDK de 65/55 nm.
●: Siemens proporcionaría los archivos técnicos para los nodos de proceso no certificados. Póngase en contacto con el equipo de productos de Aprisa en relación con sus solicitudes.
Intel Foundry ofrece una amplia gama de servicios de fabricación para satisfacer sus necesidades únicas de productos, desde la generación de máscaras hasta la fabricación de obleas y las capacidades de clasificación y prueba líderes del sector. Las técnicas avanzadas de empaquetado de Intel permiten la integración de diversos motores de computación en varias tecnologías de proceso con parámetros de rendimiento similares a los de un solo troquel, pero con un alcance de plataforma que supera con creces el límite de tamaño de matriz de la integración de un solo troquel. Como líder mundial en investigación y desarrollo (I+D) y fabricación, Intel busca continuamente optimizar y ofrecer a nuestros clientes soluciones de plataforma líderes del sector para todos los segmentos del mercado existentes y en evolución.
La Intel Foundry Accelerator: EDA Alliance se compromete a establecer un ecosistema para el diseño y la fabricación de sistemas en chip (SoC) de próxima generación fabricados con las tecnologías de proceso de vanguardia de Intel Foundry. La iniciativa promueve la colaboración entre Intel Foundry y sus socios del ecosistema, centrándose en reducir los riesgos y abordar las barreras del diseño y, al mismo tiempo, acelerar el tiempo de comercialización de los productos de los clientes en común. Como parte de la alianza, Siemens EDA colaborará estrechamente con Intel Foundry para optimizar sus mejores herramientas, flujos y metodologías de diseño de circuitos integrados para los procesos de primer nivel de Intel.
Intel Foundry Accelerator - EDA Alliance
Siemens EDA | Creación de prototipos y diseño | Verificación física | Patrón doble o múltiple | Coincidencia de patrones | LVS | Extracción parasitaria | Análisis térmico | PERC | Llenado inteligente | Simulación de circuitos |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
14 clase Angstrom (14A) | ✔ | Hecho por Foundry | ✔ | CCI a StarRC | ✔ | ✔ | ✔ | |||
18 clase Angstrom (18 A) | ✔ | Hecho por Foundry | ✔ | CCI a StarRC* | ✔ | ✔ | ✔ | |||
7 nm (Intel3) | ✔ | Hecho por Foundry | ✔ | ✔ | CCI a StarRC | ✔ | ✔ | |||
16 nm (Intel 16) | ✔ | ✔ | CCI a StarRC | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
EMIB | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
EMIB-T | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: certificado (en julio de 2026)
[*]: xAct estaba habilitado para la extracción parasitaria en el nodo de proceso Intel Foundry 18A, pero no se lanzó a clientes externos.
El puente de interconexión multimatriz (EMIB) integrado es una pequeña pieza de silicio que está incrustada en una cavidad de sustrato de paquete orgánico. Proporciona una vía de interfaz de alta velocidad y gran ancho de banda. Siemens proporciona un flujo de diseño certificado, desde el codiseño de matrices y paquetes, la verificación funcional, el diseño físico, el análisis térmico, el análisis SI/PI/EMIR y la verificación del ensamblaje.
Samsung Foundry ofrece procesos competitivos, tecnologías de diseño, IP y capacidad de fabricación de grandes volúmenes para los clientes con un conjunto completo de tecnologías de procesos avanzadas, que incluyen soluciones de paquetes integradas para 3D/2,5D y entornos de diseño flexibles y eficientes basados en la nube. Como socio en el Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE™), Siemens EDA participa en proyectos conjuntos con Samsung Foundry para permitir que las plataformas y tecnologías avanzadas en las que confían sus clientes comunes den vida a diseños cada vez más sofisticados.
Cartera EDA IC de Siemens | Verificación física | Patrón doble o múltiple | Coincidencia de patrones (detractores de rendimiento) | LVS | Extracción parasitaria | PERC | Integridad energética y EM¹ | LFD | Rellenar 2 | Puntuación de DFM | Lugar y ruta | Simulación de circuitos |
2 nm (SF2*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
3 nm (SF3*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 nm (SF4*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
5 mm (SF5*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
7 nm (SF7*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
11 nm/8 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 FDS | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
90 nm/70 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||||||
0,18 um/0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: certificado (en julio de 2026)
[1]: mPower Analog tiene la certificación para 4 LPP, 14 LPU, LL1318 GPF y mPower Digital tiene la certificación para 5 LPE.
[2]: Calibre SmartFill es POR (plan de registro) por debajo de 20 nm y Dummy Fill por encima de 20 nm.
●: Siemens proporcionaría los archivos técnicos para los nodos de proceso que aún no estuvieran certificados. Póngase en contacto con el equipo de productos de Aprisa para sus solicitudes.
La Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) fue pionera en el modelo de negocio de fundición puro. Al optar por no diseñar, fabricar o comercializar ningún producto semiconductor con su propio nombre, la clave del éxito de TSMC siempre ha sido centrarse en el éxito de sus clientes. Los semiconductores fabricados en TSMC dan servicio a una base de clientes mundial grande y diversa, con una amplia gama de aplicaciones que se utilizan en una variedad de mercados finales, incluidos los teléfonos inteligentes, la informática de alto rendimiento, el Internet de las cosas (IoT), la automoción y la electrónica de consumo digital.
La Alianza EDA de TSMC reduce las barreras de diseño para que los clientes adopten las tecnologías de procesos de TSMC. Como socio de la Alianza EDA, Siemens EDA trabaja en estrecha colaboración con los equipos de tecnología de diseño de TSMC para abordar las necesidades mutuas de diseño de los clientes mediante la habilitación de las nuevas funciones de las herramientas EDA que se alinean con la hoja de ruta de desarrollo de procesos avanzados de TSMC, así como la implementación de la metodología de diseño de TSMC en los flujos de referencia. Gracias a esta colaboración, TSMC y Siemens EDA permiten a los clientes en común alcanzar mejor su objetivo de PPA en un período de tiempo más corto.
Cartera EDA IC de Siemens | Creación de prototipos y diseño | Verificación física | Patrón doble o múltiple | Coincidencia de patrones | LVS | Extracción parasitaria | PERC | Integridad energética y electromagnética | Rellenar¹ | Custom Design | Lugar y ruta | Simulación de circuitos |
14 clase Angstrom (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | LIMPIAPARABRISAS | ✔ | LIMPIAPARABRISAS | ✔ | ||
16 clase Angstrom (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
2 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ [3] | ✔ | ||
3 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
5 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | LIMPIAPARABRISAS | ✔ | ✔ | |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
28 nm/22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
45 nm/40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
65 nm/55 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |||||
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 um/0,11 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
>=0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
Info_OS | ✔ | ✔ | ||||||||||
Info_pop | ✔ | ✔ |
✔: certificado; WIP: trabajo en curso (en julio de 2026)
[1]: Calibre SmartFill es POR (plan de registro) por debajo de 20 nm y Dummy Fill por encima de 20 nm.
[2]: mPower Analog está totalmente certificado, mientras que la certificación mPower Digital está en curso para la última variante derivada de procesos.
[3]: El soporte de 2 nm de Aprisa para la última variante derivada del proceso es de acceso anticipado a partir de hoy. Actualmente trabaja con clientes de primer nivel en cintas de producción de N2.
●: Siemens proporcionaría los archivos técnicos para los nodos de proceso que aún no estuvieran certificados. Póngase en contacto con el equipo de productos de Aprisa para sus solicitudes.
Nuestra colaboración continua con TSMC ha dado como resultado la certificación automatizada del flujo de trabajo para su tecnología de integración de Info, que forma parte del Tejido 3D plataforma. Para los clientes en común, esta certificación permite el desarrollo de productos finales innovadores y altamente diferenciados utilizando el mejor software EDA de su clase y tecnologías avanzadas de integración de envases líderes del sector.
Nuestros flujos de trabajo de diseño automatizados de Info_OS e Info_pop son ahora certificado por TSMC. Estos flujos de trabajo incluyen INNOVADOR 3D IC, HyperLynx DRC, y CALIBRE NMDRC tecnologías.
Según la definición de TSMC, InFO es una innovadora plataforma tecnológica de integración de sistemas a nivel de oblea, que incluye RDL (capa de redistribución) y TIV (a través de Info Via) de alta densidad para una interconexión de alta densidad y rendimiento para varias aplicaciones, como la telefonía móvil, la computación de alto rendimiento, etc. La plataforma InFO ofrece varios esquemas de paquetes en 2D y 3D optimizados para aplicaciones específicas.
info_OS aprovecha la tecnología InFO y cuenta con un ancho y espacio de línea RDL de 2,2 µm de mayor densidad para integrar varios chips lógicos avanzados para aplicaciones de redes 5G. Permite tamaños de almohadilla híbridos en el SoC con un paso de E/S mínimo de 40 µm, un paso de protuberancia mínimo de C4 Cu de 130 µm y más del doble de tamaño de retícula en sustratos de más de 65 x 65 mm.
Info_pop, el primer paquete 3D de distribución a nivel de oblea del sector, incluye RDL y TIV de alta densidad para integrar el AP móvil con el apilamiento de paquetes DRAM para aplicaciones móviles. En comparación con FC_pop, Info_pop tiene un perfil más delgado y un mejor rendimiento eléctrico y térmico porque no tiene sustrato orgánico ni protuberancia C4.
Integra la lógica y la memoria en la segmentación 3D, la IA y el HPC. Innovator3D IC crea, optimiza y gestiona un modelo 3D de todo el conjunto de dispositivos CowOS.
Innovator3D IC crea, optimiza y gestiona un modelo gemelo digital 3D que impulsa el diseño y la verificación detallados.
Innovator3D IC optimiza y gestiona un modelo gemelo digital 3D que impulsa el diseño y, a continuación, la verificación con las tecnologías de Calibre.
Tower Semiconductor ofrece tecnologías analógicas avanzadas y soluciones de fabricación para la vanguardia de los ámbitos más interesantes y en crecimiento del mundo, como la automoción, el consumo, la medicina, la industria y la aeroespacial y la defensa, entre otros. Tower Semiconductor se especializa en soluciones analógicas personalizadas para la fabricación de productos diferenciados y ofrece tecnologías de proceso de vanguardia, como radiofrecuencia (RF), analógica de alto rendimiento (HPA), gestión de energía integrada, sensores de imagen CMOS (CIS), sensores sin imágenes (NIS) y CMOS de señal mixta, así como capacidades de sistemas microelectromecánicos (MEMS). Para complementar sus plataformas tecnológicas avanzadas, la empresa también ofrece servicios de habilitación del diseño, que proporcionan herramientas valiosas y maduras que permiten un ciclo de diseño rápido y preciso.
Cartera EDA IC de Siemens | Verificación física | LVS | Extracción parasitaria | PERC | Integridad energética y EM¹ | Custom Design | Simulación de circuitos |
45 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ||
65 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | |
0,13 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | ✔ |
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | ✔ |
>=0,25 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | ✔ |
✔: certificado; requisito: a petición del cliente
[1]: mPower es compatible con todos los nodos a petición del cliente.
United Microelectronics Corporation (UMC) proporciona uniones híbridas o matrices y obleas de alta calidad para la integración de circuitos integrados 3D.
Ofrecemos servicios de fabricación de circuitos integrados de alta calidad y diversas tecnologías especializadas para los principales sectores de la industria electrónica.
Proporciona un kit de diseño de fundición para la verificación del ensamblaje de circuitos integrados 3D y la extracción parasitaria mediante las tecnologías Innovator3D IC Integrator y Calibre. Lea el comunicado de prensa para obtener más información.
Cartera EDA IC de Siemens | Verificación física | Patrón doble o múltiple | LVS | Extracción parasitaria | PERC | Integridad energética y electromagnética | LFD | Rellenar¹ | CAA | Custom Design | Simulación de circuitos |
12 mm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||||
14 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | LIMPIAPARABRISAS | ✔ | ✔ | ||||
17 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | LIMPIAPARABRISAS | LIMPIAPARABRISAS | ✔ | ||||
22 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
28 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
40 nm | ✔ | ✔ | ✔ | REQUISITO | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
65 nm/55 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
90 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||||
0,13 um/0,11 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
0,18 um | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: certificado; WIP: trabajo en curso; REQ: únicamente mediante solicitud de servicio
[1]: Calibre SmartFill es POR (plan de registro) por debajo de 20 nm y Dummy Fill por encima de 20 nm.



