Während die Branche zu fortschrittlichen 3D-IC-Architekturen und heterogener Integration übergeht, ist der Umgang mit thermomechanischen Belastungen für die Produktqualität und langfristige Zuverlässigkeit unerlässlich. Calibre 3DStress ermöglicht es Konstruktions- und Verpackungsteams, Belastungen, die während oder nach dem Verpackungsprozess auf den Chip ausgeübt werden, zu simulieren, zu analysieren und zu beseitigen, um sicherzustellen, dass potenzielle Ausfallrisiken — wie Verzug, Rissbildung und Mobilitätsveränderungen — lange vor dem Tapeout oder der Fertigung erkannt und gemindert werden.
Mit Calibre 3DStress hilft eine frühzeitige Analyse den Chip-Designern sicherzustellen, dass die paketbedingte Belastung die Zuverlässigkeit oder das elektrische Verhalten des Chips nicht beeinträchtigt. Umsetzbare Analyseergebnisse unterstützen Entscheidungen über IP und Geräteplatzierung im Kontext der vollständigen 3D-IC-Montage. Sobald der Entwurf abgeschlossen ist, stellt die Abnahmeanalyse sicher, dass die thermomechanische Belastung den erforderlichen Spezifikationen entspricht. Integriert in die umfassendere Multiphysik-Plattform Calibre von Siemens — zusammen mit Tools wie Calibre 3DThermal, mPower, Solido und Innovator3D IC — vereint Calibre 3DStress die Simulation mehrerer Domänen und beschleunigt fundierte Entscheidungen.
Calibre 3DStress ist ideal für erfahrene Calibre-Benutzer, die aktiv fortschrittliche 3D-ICs entwerfen, insbesondere für diejenigen, die mit engen Einschränkungen bei der Gerätemobilität konfrontiert sind, das Chippaket gemeinsam entwickeln und der Zuverlässigkeit auf Transistorebene große Aufmerksamkeit schenken.
