Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) byla průkopníkem obchodního modelu slévárny čistých her. Tím, že se rozhodla nenavrhovat, vyrábět ani uvádět na trh žádné polovodičové produkty pod vlastním jménem, bylo klíčem k úspěchu TSMC vždy zaměřit se na úspěch svých zákazníků. Polovodiče vyrobené TSMC slouží globální zákaznické základně, která je velká a různorodá, se širokou škálou aplikací používaných na různých koncových trzích, včetně chytrých telefonů, vysoce výkonných výpočetní techniky, internetu věcí (IoT), automobilového průmyslu a digitální spotřební elektroniky.
TSMC
TSMC EDA Alliance snižuje konstrukční bariéry pro přijetí procesních technologií TSMC zákazníky. Jako partner EDA Alliance Siemens EDA úzce spolupracuje s týmy návrhových technologií TSMC na řešení potřeb vzájemného designu zákazníků prostřednictvím umožnění nových funkcí nástroje EDA, které jsou v souladu s plánem vývoje pokročilých procesů TSMC, a také implementací metodiky návrhu TSMC v referenčních tocích. Díky této spolupráci umožňují TSMC a Siemens EDA společným zákazníkům lépe dosáhnout svého cíle PPA v kratším časovém období.
TSMC EDA Alliance
Tabulka pokrytí TSMC
Portfolio integrovaných obvodů Siemens EDA | Fyzické ověření | Dvojité/vícenásobné vzorování | Odpovídající vzor | LVS | Parazitární extrakce | PERC | Integrita napájení a EM | Vyplnění¹ | Custom Design | Místo a trasa | Simulace obvodů |
14 Třída Angstrom (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTÍRAT | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
16 Třída Angstrom (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
2 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTÍRAT | ✔ | | UTÍRAT | ✔ |
3 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
4 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
5 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTÍRAT | ✔ | ✔ |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm/22 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
45 nm/40 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
65 nm/55 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ● | ✔ |
90 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
0,13 um/ 0,11 um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
> = 0,18 um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
✔: certifikováno; WIP: probíhající práce (od ledna 2026)
[1]: Calibre SmartFill je POR (Plan of Record) pod 20nm a Dummy Fill nad 20nm.
●: Technické soubory budou poskytovány společností Siemens pro ty procesní uzly, které dosud nebyly certifikovány. Pro vaše požadavky kontaktujte produktový tým Aprisa.
Certifikace pracovního postupu IC Packaging
Naše pokračující spolupráce s TSMC úspěšně vyústila v automatizovanou certifikaci pracovního postupu pro jejich integrační technologii iNFO, která je součástí 3DFabric plošina. Pro společné zákazníky tato certifikace umožňuje vývoj inovativních a vysoce diferencovaných konečných produktů s využitím nejlepšího softwaru EDA ve své třídě a špičkových pokročilých technologií integrace obalů.
Naše automatizované pracovní postupy návrhu Info_OS a Info_POP jsou nyní certifikováno společností TSMC. Tyto pracovní postupy zahrnují Innovator3D IC, HyperLynx DRC, a Calibre nmDRC technologie.
Integrovaný ventilátor (InFo)
Jak je definováno společností TSMC, iNFO je inovativní technologická platforma pro integraci systému na úrovni destiček, která obsahuje RDL s vysokou hustotou (Re-Distribution Layer) a TIV (Through InFo Via) pro propojení s vysokou hustotou a výkon pro různé aplikace, jako je mobilní, vysoce výkonná výpočetní technika atd.. Platforma iNFO nabízí různá schémata balíčků ve 2D a 3D, která jsou optimalizována pro konkrétní aplikace.
Info_OS využívá technologii iNFO a nabízí šířku/prostor linky RDL s vyšší hustotou 2/2µm pro integraci více pokročilých logických čipů pro síťové aplikace 5G. Umožňuje hybridní rozteče podložek na SoC s minimálním roztečí I/O 40 µm, minimální roztečí nárazů C4 Cu 130 µm a velikostí mřížky > 2X iFo na substrátech >65 x 65 mm.
Info_pop, první balíček ventilátoru na úrovni 3D wafer v oboru, je vybaven RDL a TIV s vysokou hustotou pro integraci mobilního přístupového bodu se stohováním balíčků DRAM pro mobilní aplikace. Ve srovnání s FC_pop má Info_pop tenčí profil a lepší elektrické a tepelné výkony kvůli absenci organického substrátu a nárazu C4.
Čip na oplatce na substrátu (CowOS)
Integruje logiku a paměť do 3D cílení, AI a HPC. Innovator3D IC vytváří, optimalizuje a spravuje 3D model celé sestavy zařízení CowOS.
Oplatka na oplatce (WoW)
Innovator3D IC vytváří, optimalizuje a spravuje 3D digitální dvojčata, který řídí detailní návrh a ověřování.
Systémové integrované čipy (SOIC)
Innovator3D IC optimalizuje a spravuje 3D digitální model dvojčat, který řídí návrh a následné ověření pomocí technologií Calibre.