Simcenter Micred T3STER 是一款先進的非破壞性暫態熱測試儀，用於封裝半導體元件（二極體，BJT，功率 MOSFET，IGBT，功率 LED）和多模組裝置的熱特性。它比穩態方法更有效地測量真正的熱暫態響應。測量值為 ±0.01°C，時間解析度高達 1 微秒。結構函數後處理回應成一個繪圖，該圖表示沿熱流路徑的封裝特徵的熱阻和電容。Simcenter Micred T3STER 是一款理想的應力前和後故障檢測工具。可以匯出測量以進行熱模型校準，以支持熱設計工作的準確性。
只需一次測試即可實現更快的結果微電視中心 T3STER 簡單易用且快速。它產生完全可重現的結果，因此每個測試只需進行一次。Simcenter Micred T3STER 僅使用電氣連接來進行電源和感測測試封裝 IC，從而提供快速且可重複的結果，並無需對同一部件進行多次測試。元件可以進行現場測試，測試結果可用作緊湊型熱模型或校準詳細模型。
測試所有類型的封裝半導體幾乎所有類型的封裝半導體都可以進行測試，從功率二極體和晶體管到大型且高度複雜的數位 IC，包括安裝在主機板上的零件，甚至包裝到產品中的零件。
簡而言之，一個功率脈衝會注入到組件中，並且對時間的溫度響應非常準確地記錄。半導體本身既用於為零件供電，也可以使用模具表面上的溫度敏感參數（例如晶體管或二極體結構）感測溫度響應。
存取可靠的軟體搭配 SimCenter Micred T3STER 提供的軟體提供了解決方案的很多價值。這是因為 Simcenter Micred T3STER 軟體可以取得溫度與時間追蹤，並將其轉換為所謂的結構函數。在此繪圖中可以檢測到封裝的分散特徵，例如模具附件，使 Simcenter Micred T3STER 成為產品開發中的優秀診斷工具。此繪圖也可用於校準 Simcenter Flotherm 中的詳細 3D 熱模型，創建晶片包的熱模型，該模型可以預測空間和時間中的溫度，以 99+% 的準確度。
通過測量和校準實現更高的電子冷卻模擬精度
本白皮書考慮在模擬中建模追蹤和連接散熱的更高精度的因素。它說明了使用 Simcenter T3STER 的 IGBT 模組的熱量測量和模型校正與西姆中心 Flotherm 中的熱模擬結合。
