Simcenter Micred T3STER 是一款先进的无损瞬态热测试仪，用于封装半导体器件（二极管、双晶管、功率 MOSFET、IGBT、功率 LED）和多晶片器件的热特性分析。它比稳态方法更有效地测量真正的热瞬态响应。测量温度为±0.01°C，时间分辨率高达1微秒。结构函数将响应后处理成一个图，该图显示了封装特征沿热流路径的热阻和电容。Simcenter Micred T3STER 是一款理想的应力前后故障检测工具。可以导出测量结果以进行热模型校准，从而为热设计工作的准确性奠定了基础。
只需一次测试即可更快地获得结果
Simcenter Micred T3STER 易于使用且速度快。它产生的结果完全可重现，因此每次测试只需要进行一次。Simcenter Micred T3STER 测试封装集成电路时仅使用电气连接进行供电和检测，从而提供快速、可重复的结果，无需对同一部件进行多次测试。可以对组件进行现场测试，测试结果可用作紧凑型热模型或校准详细模型。
测试所有类型的封装半导体
实际上，可以测试所有类型的封装半导体，从功率二极管和晶体管到高度复杂的大型数字集成电路，包括安装在电路板上，甚至封装成产品的部件。
简而言之，功率脉冲被注入到组件中，其温度响应可以非常准确地记录在时间上。半导体本身既可以为器件供电，也可以使用晶体管或二极管结构等晶体管或二极管结构等晶体管表面上的温度敏感参数来感知温度响应。
访问可靠的软件
Simcenter Micred T3STER 附带的软件提供了该解决方案的很多价值。那是因为 Simcenter Micred T3STER 软件可以测量温度与时间的关系，并将其转换为所谓的结构函数。在该图中可以检测到封装的离散特征，例如芯片附着，这使得 Simcenter Micred T3STER 成为产品开发中的出色诊断工具。该图还可用于校准 Simcenter Flotherm 中的详细三维热模型，创建芯片封装的热模型，该模型可以预测空间和时间温度，精度高达 99% 以上。
通过测量和校准实现更高的电子冷却仿真精度
本白皮书考虑了提高仿真中轨迹和连接散热建模精度的因素。它说明了使用 Simcenter T3STER 对 IGBT 模块进行热测量，并在 Simcenter Flotherm 中进行了模型校准和热仿真。
