在过去的十年中，光子学技术一直是微电子中光通信和光学互连的一种新兴技术。结果，各种各样的光子学设计方法与极具挑战性的比例和形状融为一体。制造这种曲线优美的关键光子学形状需要先进的分辨率增强技术 (RET)，包括采用 193 nm 浸入式光刻技术的反向光刻技术 (ILT)。在本文中，我们研究了使用先进的ILT解决方案的几种光子学设备的制造挑战，以及SRAF插入对提供良好的光刻质量的影响，包括边缘放置误差 (EPE)、PvBand和线缘粗糙度 (LER)。我们将演示我们的Calibre ILT解决方案如何实现最具挑战性的光子学设计的制造。
基于模板的方法在工艺窗口变化（PV 波段）、常见焦深（DOF）和图像日志斜率（ILS）方面提供了与 ILT SRAF 相当的光刻质量，同时显著提高了运行效率——比原生 ILT SRAF 合成更快。
Calibre NMCLSRAF整合了Calibre ILT引擎的结果，提供了一种可行的曲线SRAF解决方案，满足了SRAF合成的DUV和EUV光刻工艺特定标准的要求。
可以开发定制流程，以满足在特殊设计中插入曲线SRAF的额外要求，例如专门针对硅光子学应用的SRAF覆盖范围和间隙抑制要求。
Calibre NMCLSRAF 是一款基于规则的快速、基于规则的曲线 SRAF 插入解决方案，它基于由 Calibre ILT 引擎生成的反向光刻 (ILT) 结果。
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