与完整的 ILT 解决方案相比，Calibre nmCLOPC 支持混合 ILT 曲线 OPC 流程，可提供所需的光刻质量和更快的运行时间。该流程可用于生成硅光子学所需的曲线掩膜，或用于逻辑或存储器的直线性设计。

Calibre OPC 核心模型可以精确模拟曲线掩模的掩模三维电磁场效应。使用SEM轮廓对曲线图案进行模型校准使其能够描述晶圆上的真实行为。先进的 Calibre nmCLOPC 技术最大限度地提高了光刻精度，实现了所需的 OPC 精度。