Hiệu chỉnh quy trình mặt nạ (MPC) được thiết lập tốt như một bước cần thiết trong chuẩn bị dữ liệu mặt nạ (MDP) để sản xuất mặt nạ chùm điện tử tại các nút công nghệ tiên tiến từ 14nm trở lên. MPC thường sử dụng mô hình tán xạ điện tử để biểu diễn phơi sáng chùm tia điện tử và mô hình quá trình để biểu diễn các hiệu ứng quá trình phát triển và khắc. Các mô hình được sử dụng để mô phỏng lặp đi lặp lại vị trí của các cạnh đặc điểm bố trí và di chuyển các đoạn cạnh để tối đa hóa độ chính xác vị trí cạnh của mặt nạ đã hoàn thành. Chỉ định liều chọn lọc có thể được sử dụng kết hợp với chuyển động cạnh để đồng thời tối đa hóa cửa sổ quy trình và độ chính xác vị trí cạnh.
Phương pháp MPC để hiệu chuẩn mô hình và hiệu chỉnh bố cục đã được phát triển và tối ưu hóa cho các máy tạo mặt nạ hình chùm vectơ (VSB) đại diện cho công nghệ in thạch bản mặt nạ chủ đạo được sử dụng ngày nay để sản xuất mặt nạ tiên tiến. Máy viết mặt nạ đa chùm (MBMW) gần đây đã được giới thiệu và hiện đang bắt đầu được sử dụng trong sản xuất khẩu trang quang khối lượng lớn.
Các công cụ mới này dựa trên các kiến trúc quét raster song song ồ ạt làm giảm đáng kể sự phụ thuộc của thời gian ghi vào độ phức tạp của bố cục và dự kiến sẽ tăng cường và cuối cùng thay thế công nghệ VSB cho các mặt nạ nút tiên tiến khi độ phức tạp của bố cục tiếp tục tăng [5] [6].
Mặc dù người ta hy vọng rằng các phương pháp MPC hiện có được phát triển cho in thạch bản VSB có thể dễ dàng điều chỉnh cho MBMW, nhưng việc kiểm tra nghiêm ngặt việc sửa lỗi mặt nạ cho MBMW là cần thiết để xác nhận đầy đủ khả năng áp dụng của các công cụ và phương pháp hiện tại và để xác định bất kỳ sửa đổi nào có thể được yêu cầu để đạt được hiệu suất CD mong muốn của MBMW. Trong bài báo này, chúng tôi sẽ trình bày kết quả của một nghiên cứu như vậy và xác nhận sự sẵn sàng của MPC cho in thạch bản mặt nạ đa chùm.
