Trong thập kỷ qua, công nghệ quang tử đã là một công nghệ mới nổi cho viễn thông quang học và kết nối quang học trong vi điện tử. Kết quả là, sự đa dạng lớn của các phương pháp thiết kế quang tử đã kết hợp với các quy mô và hình dạng rất khó khăn. Việc sản xuất các hình dạng quang tử cong và quan trọng như vậy đòi hỏi các kỹ thuật tăng cường độ phân giải tiên tiến (RET), bao gồm kỹ thuật in thạch bản nghịch đảo (ILT) với in thạch bản ngâm 193 nm. Trong bài báo này, chúng tôi điều tra những thách thức sản xuất của một số thiết bị quang tử sử dụng các giải pháp ILT tiên tiến và tác động của việc chèn SRAF đối với việc cung cấp chất lượng thạch cao, bao gồm lỗi vị trí cạnh (EPE), PVBand và độ nhám cạnh đường (LER). Chúng tôi sẽ chứng minh các giải pháp Calibre ILT của chúng tôi cho phép sản xuất các thiết kế quang tử khó khăn nhất như thế nào.
