Việc tạo ra các hình dạng mặt nạ đường cong trong hiệu chỉnh tiệm cận quang học (OPC) thay vì hình chữ nhật thuần túy đang ngày càng trở nên thực tế hơn như một phương pháp để cải thiện hiệu suất in thạch bản wafer. Lợi ích chính của việc sử dụng các hình dạng đường cong là cửa sổ quy trình được cải thiện, có nghĩa là hình ảnh wafer ít nhạy cảm hơn với điều kiện liều lượng và tiêu cự trong quá trình phơi sáng. Với sức mạnh tính toán tăng lên của các cụm hiệu suất cao mới nhất và sự sẵn có của máy ghi mặt nạ đa chùm (MBMW), những lợi ích in thạch bản wafer đó có thể được thực hiện tại các nút công nghệ hiện đang được phát triển.
Một thách thức rất thiết thực đối với việc đưa mặt nạ có hình dạng đường cong vào sản xuất là sự sẵn có của các kiểm tra quy tắc mặt nạ đáng tin cậy (MRC). Công cụ OPC không chỉ cần tạo ra các hình dạng có thể sản xuất được mà cửa hàng mặt nạ còn cần một phương pháp xác minh rằng dữ liệu mặt nạ đến có thể sản xuất được hay không. Đối với hình dạng mặt nạ đường cong, điều này khó khăn hơn so với các hình dạng mặt nạ hình chữ nhật vì việc kiểm tra chiều rộng và không gian đơn giản không còn đủ.
Trong bài báo này, chúng tôi thảo luận về một tập hợp toàn diện các giới hạn MRC và chứng minh hiệu quả của động cơ MRC hoạt động trên dữ liệu đầu vào đường cong. Rules được sử dụng ở đây bao gồm chiều rộng tối thiểu của các đặc điểm lộ ra, không gian tối thiểu giữa các đặc điểm lộ ra, độ cong tối thiểu của hình dạng lồi và lõm, cũng như diện tích tối thiểu của các đặc điểm lộ ra.
