Simcenter Micred T3STER - це вдосконалений неруйнівний перехідний тепловий тестер для теплової характеристики упакованих напівпровідникових пристроїв (діодів, BJT, силових MOSFET, IGBT, силових світлодіодів) та багатошарових пристроїв. Він вимірює справжню теплову перехідну реакцію ефективніше, ніж стаціонарні методи. Вимірювання становлять до ± 0,01° C з роздільною здатністю часу до 1 мікросекунди. Функції структури після обробки відповіді на графік, який показує тепловий опір та ємність елементів пакета вздовж шляху теплового потоку. Simcenter Micred T3STER є ідеальним інструментом для виявлення невдач перед і після напруги. Вимірювання можна експортувати для калібрування теплової моделі, що підтверджує точність зусиль теплового проектування.

Увімкніть швидші результати лише за допомогою одного тестуSimcenter Micred T3STER простий у використанні та швидкий. Він дає повністю відтворювані результати, тому кожен тест потрібно проводити лише один раз. Simcenter Micred T3STER тестує пакетовані мікросхеми, використовуючи лише електричні з'єднання для живлення та зондування, даючи швидкі, повторювані результати та усуваючи необхідність кількох тестів на одній частині. Компоненти можуть бути перевірені на місці, а результати випробувань можуть бути використані як компактну теплову модель або для калібрування детальної моделі.

Перевірте всі типи упакованих напівпровідниківПрактично всі типи упакованих напівпровідників можуть бути протестовані, від силових діодів і транзисторів до великих і дуже складних цифрових мікросхем, включаючи деталі, які встановлені на платі, і навіть упаковані в продукт.

Простіше кажучи, в компонент вводиться силовий імпульс і його температурна реакція записується дуже точно проти часу. Сам напівпровідник використовується як для живлення деталі, так і для відчуття температурної реакції за допомогою чутливого до температури параметра на поверхні матриці, такого як транзистор або діодна структура.

Доступ до надійного програмного забезпеченняПрограмне забезпечення, що надається з Simcenter Micred T3STER, забезпечує велику цінність рішення. Це тому, що програмне забезпечення Simcenter Micred T3STER може приймати відстеження температури та часу та перетворювати його в так звану структурну функцію. На цьому графіку можна виявити дискретні особливості упаковки, такі як кріплення матриці, що робить Simcenter Micred T3STER відмінним діагностичним інструментом у розробці продуктів. Сюжет також може бути використаний для калібрування детальної 3D-теплової моделі в Simcenter Flotherm, створивши теплову модель пакета мікросхем, яка прогнозує температуру як у просторі, так і в часі з точністю 99+%.

Теплові випробування

Сімейство апаратних рішень для теплової характеристики надає постачальникам компонентів та систем можливість точно та ефективно перевіряти, вимірювати та термічно характеризувати пакети напівпровідникових інтегральних схем, одинарні та масивні світлодіоди, складені та багатошарові пакети, модулі силової електроніки, властивості матеріалу теплового інтерфейсу (TIM) та повні електронні системи.

Наші апаратні рішення безпосередньо вимірюють фактичні криві нагрівання або охолодження упакованих напівпровідникових пристроїв безперервно та в режимі реального часу, а не штучно складають це за результатами кількох окремих тестів. Вимірювання справжньої теплової перехідної реакції таким чином набагато ефективніше та точніше, що призводить до більш точних теплових показників, ніж стаціонарні методи. Вимірювання потрібно проводити лише один раз на зразок, а не повторювати, і приймати середнє значення, як у стаціонарних методів.

Детальніше про теплові випробування

Переглянути вебінар