Корекція процесу маски (MPC) добре зарекомендувала себе як необхідний етап підготовки даних маски (MDP) для виготовлення маски електронного променя на передових технологічних вузлах від 14 нм і далі. MPC зазвичай використовує модель розсіювання електронів для представлення експозиції електронного променя та модель процесу для представлення ефектів процесу розробки та травлення. Моделі використовуються для ітеративного моделювання положення країв елементів макета та переміщення сегментів країв, щоб максимізувати точність положення краю завершеної маски. Вибіркове призначення дози можна використовувати разом з рухом краю, щоб одночасно максимізувати точність вікна процесу та положення краю.
Методологія MPC для калібрування моделі та корекції макета була розроблена та оптимізована для авторів масок векторного променя (VSB), які представляють домінуючу технологію літографії масок, яка використовується сьогодні для вдосконаленого виробництва масок. Нещодавно були представлені автори багатопроменевих масок (MBMW), які зараз починають використовуватися у виробництві об'ємних фотомасок.
Ці нові інструменти базуються на масово паралельних архітектурах растрового сканування, які значно зменшують залежність часу запису від складності макета і, як очікується, збільшать та врешті-решт замінять технологію VSB для вдосконалених масок вузлів, оскільки складність макета продовжує зростати [5] [6].
Хоча очікується, що існуючі методи MPC, розроблені для літографії VSB, можуть бути легко адаптовані до MBMW, ретельне вивчення виправлення помилок маски для MBMW необхідне, щоб повністю підтвердити застосовність поточних інструментів та методів, а також визначити будь-які модифікації, які можуть знадобитися для досягнення бажаної продуктивності CD MBMW. У цій роботі ми представимо результати такого дослідження та підтвердимо готовність МПК до багатопроменевої маскової літографії.
