В останнє десятиліття технологія фотоніки стала новою технологією для оптичних телекомунікацій та оптичних взаємозв'язків у мікроелектроніці. В результаті велика різноманітність методологій проектування фотоніки злилася з дуже складними масштабами та формами. Виготовлення таких кривих і критичних фотонічних форм вимагає передових методів підвищення роздільної здатності (RET), включаючи методи зворотної літографії (ILT) із зануреною літографією 193 нм. У цій статті ми досліджуємо виробничі проблеми кількох фотонічних пристроїв з використанням передових рішень ILT та вплив вставки SRAF на забезпечення хорошої якості літо, включаючи помилку розміщення країв (EPE), PVBand та шорсткість краю лінії (LER). Ми продемонструємо, як наші рішення Calibre ILT дозволяють виготовляти найскладніші фотонічні конструкції.
