Skip to main content
Цю сторінку перекладено автоматично. Перейти натомість до англійської версії?
Технічний папір

Повночіпні варіанти EUV для логіки та металевого візерунка

Генерування криволінійних масок EUV з повним чіпом забезпечує максимальне вікно процесу, але технологія, яка використовується для виробництва цих масок, залишається занадто повільною для виготовлення логіки повного мікросхеми. Ми розглядаємо кілька альтернативних підходів до використання лише технології зворотної літографії (ILT), які пропонують від 4 до понад 100 разів швидший час роботи з дуже подібними літографічними показниками.

Що ви дізнаєтеся:

  • Чому технологія зворотної літографії (ILT) не є практичною для генерації криволінійних масок EUV з повним чіпом.
  • Які альтернативні підходи існують з більш швидким виконанням, які також досягають максимального вікна процесу.
  • Як створити криволінійні вихідні маски з 4-х і понад 100x швидшим робочим часом.
Лікар у білому пальто оглядає горло пацієнта за допомогою язикового депресора
Рекомендовані функції

Функції EUV з високим рівнем NA для досягнення роздільної здатності наступного вузла

Моделювання OPC Calibre EUV та мультишаблонне моделювання пропонують комплексну підтримку для вирішення унікальних проблем EUV з високим рівнем НК, таких як анаморфна оптика (для оптимізації джерел, моделювання, збільшення, MRC та зшивання поля) та маскування 3D-моделювання для врахування ефектів затінення для EUV з високим рівнем НК.

Ознайомтеся з ресурсами та пов'язаними продуктами

Поширені запитання щодо Calibre EUV