Генерування криволінійних масок EUV з повним чіпом забезпечує максимальне вікно процесу, але технологія, яка використовується для виробництва цих масок, залишається занадто повільною для виготовлення логіки повного мікросхеми. Ми розглядаємо кілька альтернативних підходів до використання лише технології зворотної літографії (ILT), які пропонують від 4 до понад 100 разів швидший час роботи з дуже подібними літографічними показниками.
Що ви дізнаєтеся:
- Чому технологія зворотної літографії (ILT) не є практичною для генерації криволінійних масок EUV з повним чіпом.
- Які альтернативні підходи існують з більш швидким виконанням, які також досягають максимального вікна процесу.
- Як створити криволінійні вихідні маски з 4-х і понад 100x швидшим робочим часом.




