
Співпраця з TSMC для просування AI
Сьогодні Siemens оголосила про продовження співпраці з TSMC для стимулювання інновацій в автоматизації на основі штучного інтелекту та вдосконаленого дизайну напівпровідників.

Перевірена в повсякденній роботі в проектних компаніях та ливарних заводах, Siemens EDA підтримує безфабричні/ливарні екосистеми завдяки співпраці, інноваціям та технологічним потокам, що специфічні для ливарного виробництва, які будуються, випробовуються та сертифікуються.
Інструменти Siemens EDA перевірені на напівпровідникових ливарних заводах по всьому світу. Співпраця з великими ливарними виробництвами забезпечує найшвидший доступ до інструментів, необхідних для передових виробничих процесів, а також функціональності та продуктивності, необхідних для постійного успіху на встановлених технологічних вузлах.
GlobalFoundries Inc. (GF) є одним з провідних світових виробників напівпровідників, що пропонує унікальне поєднання послуг з проектування, розробки та виготовлення як для передових, так і для основних технологій. GlobalFoundries переосмислює інновації та виробництво напівпровідників, розробляючи та надаючи багатофункціональні технологічні рішення, які забезпечують лідерські показники на поширених ринках високого зростання. GlobalFoundries і Siemens EDA часто співпрацюють над широким спектром проектів для підвищення продуктивності та результатів проектування, перевірки та виробничих процесів для своїх спільних клієнтів.
Портфоліо мікросхем Siemens EDA | Фізична перевірка | Подвійний/багатошаблонний | Збіг шаблонів (DRC +) | LVS | Видобуток паразитів | ПЕРК | Цілісність живлення та EM¹ | LFD | Заповнення² | Оцінка DFM | КАА | Custom Design | Місце і маршрут | Моделювання схеми |
12 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
14 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
22 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||
40 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||
45 нм³ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ||||||
65/55 нм | ✔ | ✔ 4 | ✔ | ✔ | ✔ 5 | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
90 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,18 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||||
> = 0,35 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: сертифікований; REQ: тільки за запитом послуги
[1]: mPower Digital сертифікований для всіх технологічних вузлів. Аналог офіційно не підтримується GF, але команда продуктів mPower може підтримувати клієнтів за запитом.
[2]: Калібр SmartFill має значення POR (план запису) нижче 20 нм, а фіктивне заповнення вище 20 нм.
[3]: Процесний вузол 45 нм спеціально підтримує технологію RF SOI CMOS.
[4]: 55 нм має комплект DRC+, але 65 нм ні.
[5]: Колода калібру PERC доступна лише для 55LP PDK, але не для інших ПДК 65/55 нм.
●: Технологічні файли будуть надані компанією Siemens для тих технологічних вузлів, які не сертифіковані. Будь ласка, зв'яжіться з командою продуктів Aprisa щодо ваших запитів.
Intel Foundry пропонує широкий спектр виробничих послуг для задоволення ваших унікальних потреб у продуктах, від генерації масок до виготовлення вафель до провідних у галузі можливостей сортування та тестування. Передові методи упаковки Intel дозволяють інтегрувати різноманітні обчислювальні двигуни в різні технологічні технології з параметрами продуктивності, подібними до однієї матриці, але з розмахом платформи, який значно перевищує межу розміру штампу інтеграції з однією матрицею. Як світовий лідер у галузі досліджень та розробок (R&D) та виробництва, Intel постійно прагне оптимізувати та надавати провідні в галузі платформні рішення для наших клієнтів для кожного існуючого та розвивається сегмента ринку.
Intel Foundry Accelerator - EDA Alliance прагне створити екосистему для проектування та виготовлення системи на чіпі (SoC) наступного покоління, виготовлених на передових технологіях обробки Intel Foundry. Ініціатива сприяє співпраці між Intel Foundry та її партнерами в екосистемі, зосереджуючись на зменшенні ризику та подоланні бар'єрів дизайну, одночасно прискорюючи час виходу на ринок продуктів спільних клієнтів. У рамках альянсу Siemens EDA буде тісно співпрацювати з Intel Foundry для оптимізації своїх найкращих у своєму класі інструменти проектування мікросхем, потоків та методологій для процесів світового класу Intel.
Прискорювач ливарного виробництва Intel - EDA Alliance
Siemens EDA | Прототипування/Дизайн | Фізична перевірка | Подвійний/багатошаблонний | Відповідність шаблону | LVS | Видобуток паразитів | Тепловий аналіз | ПЕРК | Розумна заливка | Моделювання схеми |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
14 Ангстрем-клас (14А) | ✔ | Виконано ливарним заводом | ✔ | ТПЦ в СтарРК | ✔ | ✔ | ✔ | |||
18 Ангстрем-клас (18А) | ✔ | Виконано ливарним заводом | ✔ | CCI до StarRC* | ✔ | ✔ | ✔ | |||
7 нм (Інтел3) | ✔ | Виконано ливарним заводом | ✔ | ✔ | ТПЦ в СтарРК | ✔ | ✔ | |||
16 нм (Інтел16) | ✔ | ✔ | ТПЦ в СтарРК | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
ЕМІБ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
ЕМІБ-Т | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: сертифікований (станом на липень 2026 р.)
[*]: xACT був увімкнений для паразитарного вилучення на процесному вузлі Intel Foundry 18A, але не випущений для зовнішніх клієнтів.
Вбудований багатошаровий міжз'єднувальний міст (EMIB) - це невеликий шматочок кремнію, який вбудований у порожнину субстрату органічного пакета. Він забезпечує високошвидкісний шлях інтерфейсу від матриці до матриці з високою пропускною здатністю. Siemens забезпечує сертифікований потік проектування від спільного проектування штамп/упаковки, функціональної перевірки, фізичного компонування, термічного аналізу, SI/PI/EMIR аналізу та перевірки збірки.
Samsung Foundry пропонує клієнтам конкурентні процеси, технології проектування, IP та потужні виробничі можливості з повним набором передових технологічних технологій, включаючи інтегровані пакетні рішення для 3D/2.5D та гнучкі та ефективні хмарні дизайнерські середовища. Як партнер в Розширена ливарна екосистема Samsung Програма (SAFE™), Siemens EDA бере участь у спільних проектах із Samsung Foundry, щоб дозволити передовим платформам та технологіям, на які покладаються їхні спільні клієнти, втілювати все більш досконалі конструкції в життя.
Портфоліо мікросхем Siemens EDA | Фізична перевірка | Подвійний/багатошаблонний | Збіг шаблонів (недоброзичливці) | LVS | Видобуток паразитів | ПЕРК | Цілісність живлення та EM¹ | LFD | Заповнення² | Оцінка DFM | Місце і маршрут | Моделювання схеми |
2 нм (SF2*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
3 нм (SF3*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 нм (SF4*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
5 нм (SF5*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
7 нм (SF7*) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |
11 нм/8 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
14 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28ФДС | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
28 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
90 нм/70 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | |||||||
0,18 мм/0,13 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● |
✔: сертифікований (станом на липень 2026 р.)
[1]: Аналоговий MPower сертифікований для 4LPP, 14LPU, LL1318GPF, а MPower Digital сертифікований для 5LPE.
[2]: Калібр SmartFill має значення POR (план запису) нижче 20 нм, а фіктивне заповнення вище 20 нм.
●: Технологічні файли будуть надані компанією Siemens для тих технологічних вузлів, які ще не сертифіковані. Будь ласка, зв'яжіться з командою продуктів Aprisa для ваших запитів.
Тайванська компанія з виробництва напівпровідників (TSMC) стала першопрохідцем у бізнес-моделі чистого ливарного виробництва. Вирішивши не проектувати, виробляти та не продавати будь-які напівпровідникові вироби під власною назвою, ключем до успіху TSMC завжди було зосередження уваги на успіху своїх клієнтів. Напівпровідники виробництва TSMC обслуговують глобальну клієнтську базу, яка є великою та різноманітною, з широким спектром додатків, що використовуються на різних кінцевих ринках, включаючи смартфони, високопродуктивні обчислення, Інтернет речей (IoT), автомобільну та цифрову побутову електроніку.
TSMC EDA Alliance зменшує дизайнерські бар'єри для прийняття клієнтами технологічних технологій TSMC. Як партнер EDA Alliance, Siemens EDA тісно співпрацює з командами дизайнерських технологій TSMC для вирішення взаємних потреб у проектуванні клієнтів шляхом включення нових функцій інструменту EDA, які узгоджуються з передовою дорожньою картою розробки процесів TSMC, а також впровадження методології проектування TSMC у еталонних потоках. Завдяки цій співпраці TSMC та Siemens EDA дозволяють спільним клієнтам краще досягти своєї мети PPA за коротший проміжок часу.
Портфоліо мікросхем Siemens EDA | Прототипування/Дизайн | Фізична перевірка | Подвійний/багатошаблонний | Відповідність шаблону | LVS | Видобуток паразитів | ПЕРК | Цілісність живлення та ЕМ | Заповнення¹ | Custom Design | Місце і маршрут | Моделювання схеми |
14 Ангстрем-клас (А14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ВИТИРАТИ | ✔ | ВИТИРАТИ | ✔ | ||
16 Ангстрем-клас (А16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
2нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ [3] | ✔ | ||
3нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ ² | ✔ | ✔ | ✔ | ||
4 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
5 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
7 нм/6 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ВИТИРАТИ | ✔ | ✔ | |
16 нм/12 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||
28 нм/22 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
45 нм/40 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
65 нм/55 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | |||||
90 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
0,13 мм/0,11 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
> = 0,18 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ● | ✔ | ||||||
Інфо_OS | ✔ | ✔ | ||||||||||
Інфо_поп | ✔ | ✔ |
✔: сертифікований; WIP: незавершені роботи (станом на липень 2026 р.)
[1]: Калібр SmartFill має значення POR (план запису) нижче 20 нм, а фіктивне заповнення вище 20 нм.
[2]: MPower Analog повністю сертифікований, поки працює сертифікація mPower Digital для останнього варіанту похідного процесу.
[3]: Підтримка Aprisa 2nm для останнього варіанту похідних процесу є раннім доступом станом на сьогодні. В даний час працюємо з клієнтами Tier-1 над серійними стрічками N2.
●: Технологічні файли будуть надані компанією Siemens для тих технологічних вузлів, які ще не сертифіковані. Будь ласка, зв'яжіться з командою продуктів Aprisa для ваших запитів.
Наша постійна співпраця з TSMC успішно призвела до автоматизованої сертифікації робочого процесу для їх технології інтеграції iNFO, яка є частиною 3ДТканина платформа. Для спільних клієнтів ця сертифікація дозволяє розробляти інноваційні та високодиференційовані кінцеві продукти з використанням найкращого в своєму класі програмного забезпечення EDA та провідних у галузі передових технологій інтеграції упаковки.
Наші автоматизовані робочі процеси проектування Info_OS та Info_POP є тепер сертифіковано TSMC. Ці робочі процеси включають Innovator3D IC, HyperLynx DRC, і Calibre nmDRC технології.
Як визначено TSMC, iNFO - це інноваційна технологічна платформа системної інтеграції на рівні пластин, що відрізняється RDL високої щільності (Re-Distribution Layer) та TIV (через InFo Via) для взаємозв'язку високої щільності та продуктивності для різних додатків, таких як мобільні, високопродуктивні обчислення тощо. Платформа iNFO пропонує різні схеми пакетів у 2D та 3D, оптимізовані для конкретних застосувань.
Info_OS використовує технологію iNFO та має ширину/простір лінії RDL з більшою щільністю 2/2 мкм для інтеграції декількох вдосконалених логічних чіплетів для мережевих додатків 5G. Він забезпечує гібридні кроки накладки на SoC з мінімальним кроком вводу/виводу 40 мкм, мінімальним кроком нахилу C4 Cu 130 мкм та розміром сітки> 2X інФо на підкладках> 65 х 65 мм.
Info_pop, перший у галузі пакет вентилятора рівня 3D-вафель, має RDL та TIV високої щільності для інтеграції мобільного AP зі стекуванням пакетів DRAM для мобільних додатків. Порівняно з FC_pop, Info_pop має тонший профіль і кращі електричні та теплові характеристики через відсутність органічної підкладки та удару С4.
Інтегрує логіку та пам'ять у 3D-націлюванні, AI та HPC. Innovator3D IC створює, оптимізує та керує 3D-моделлю всієї збірки пристроїв CowOS.
Innovator3D IC створює, оптимізує та керує 3D-цифровою моделлю близнюків, яка забезпечує детальне проектування та перевірку.
Innovator3D IC оптимізує та керує цифровою 3D-моделлю близнюків, яка забезпечує проектування, а потім перевірку за допомогою технологій Calibre.
Tower Semiconductor пропонує передові аналогові технології та виробничі рішення для передових найцікавіших та зростаючих аренів світу, таких як автомобільна, споживча, медична, промислова та аерокосмічна та оборонна. Tower Semiconductor спеціалізується на індивідуальних аналогових рішеннях для виробництва диференційованих продуктів, пропонуючи передові технологічні технології, включаючи радіочастотні (RF), високопродуктивні аналогові (HPA), інтегроване управління живленням, датчики зображення CMOS (CIS), невізуальні датчики (NIS) та змішаного сигналу CMOS, а також можливості мікроелектромеханічних систем (MEMS). Щоб доповнити свої передові технологічні платформи, Компанія також пропонує послуги з розробки дизайну, надаючи зрілі та цінні інструменти, які забезпечують швидкий та точний цикл проектування.
Портфоліо мікросхем Siemens EDA | Фізична перевірка | LVS | Видобуток паразитів | ПЕРК | Цілісність живлення та EM¹ | Custom Design | Моделювання схеми |
45 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ||
65 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | |
0,13 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | ✔ |
0,18 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | ✔ |
> = 0,25 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | ✔ |
✔: сертифікований; REQ: за бажанням замовника
[1]: mPower підтримується для всіх вузлів за запитом клієнта.
Корпорація Об'єднана мікроелектроніка (UMC) забезпечує високоякісне гібридне склеювання або матриці та пластини для інтеграції 3D-мікросхем.
Надання високоякісних послуг з виготовлення мікросхем та різних спеціальних технологій для обслуговування всіх основних галузей електронічної промисловості.
Надає набір для проектування ливарного виробництва для перевірки складання 3D-мікросхем та вилучення паразитів за допомогою технологій Innovator3D IC Integrator та Calibre. Прочитайте прес-реліз для більш детальної інформації.
Портфоліо мікросхем Siemens EDA | Фізична перевірка | Подвійний/багатошаблонний | LVS | Видобуток паразитів | ПЕРК | Цілісність живлення та ЕМ | LFD | Заповнення¹ | КАА | Custom Design | Моделювання схеми |
12 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||||
14 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ВИТИРАТИ | ✔ | ✔ | ||||
17 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ВИТИРАТИ | ВИТИРАТИ | ✔ | ||||
22 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||||
28 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ||
40 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ЗАПИТ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |
65 нм/55 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
90 нм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||||
0,13 мм/0,11 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | |||||
0,18 мкм | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
✔: сертифікований; WIP: незавершена робота; REQ: тільки за запитом послуги
[1]: Калібр SmartFill має значення POR (план запису) нижче 20 нм, а фіктивне заповнення вище 20 нм.



