Maske Süreci Düzeltme (MPC), 14nm ve ötesindeki ileri teknoloji düğümlerinde elektron ışını maskesi üretimi için maske veri hazırlamada (MDP) gerekli bir adım olarak iyi kurulmuştur. MPC tipik olarak e-ışın maruziyetini temsil etmek için bir elektron dağılım modeli ve geliştirme ve aşındırma süreci etkilerini temsil etmek için bir süreç modeli kullanır. Modeller, tamamlanan maskenin kenar konumu doğruluğunu en üst düzeye çıkarmak için yerleşim özelliği kenarlarının konumunu yinelemeli olarak simüle etmek ve kenar segmentlerini taşımak için kullanılır. Seçici doz ataması, işlem penceresi ve kenar konum doğruluğunu aynı anda en üst düzeye çıkarmak için kenar hareketi ile birlikte kullanılabilir.
Model kalibrasyonu ve düzen düzeltmesi için MPC metodolojisi, günümüzde gelişmiş maske üretimi için kullanılan baskın maske litografi teknolojisini temsil eden vektör şekilli ışın (VSB) maske yazarları için geliştirilmiş ve optimize edilmiştir. Çok ışınlı maske yazarları (MBMW) yakın zamanda tanıtıldı ve şimdi hacimli fotomask üretiminde kullanılmaya başlandı.
Bu yeni araçlar, yazma süresinin mizanpaj karmaşıklığına bağımlılığını önemli ölçüde azaltan ve düzen karmaşıklığı büyümeye devam ettikçe gelişmiş düğüm maskeleri için VSB teknolojisini artırması ve sonunda yerini alması beklenen büyük ölçüde paralel raster tarama mimarilerine dayanmaktadır [5] [6].
VSB litografisi için geliştirilen mevcut MPC yöntemlerinin MBMW'ye kolayca uyarlanabilmesi beklenirken, mevcut araçların ve yöntemlerin uygulanabilirliğini tam olarak doğrulamak ve MBMW'nin istenen CD performansını elde etmek için gerekli olabilecek değişiklikleri belirlemek için MBMW için maske hatası düzeltmesinin titiz bir incelemesi gereklidir. Bu yazıda böyle bir çalışmanın sonuçlarını sunacağız ve MPC'nin çok ışınlı maske litografisi için hazır olduğunu doğrulayacağız.
