Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC), saf dökümhane iş modeline öncülük etti. Kendi adı altında herhangi bir yarı iletken ürünü tasarlamamayı, üretmemeyi veya pazarlamamayı seçerek, TSMC'nin başarısının anahtarı her zaman müşterilerinin başarısına odaklanmak olmuştur. TSMC yapımı yarı iletkenler, akıllı telefonlar, yüksek performanslı bilgi işlem, Nesnelerin İnterneti (IoT), otomotiv ve dijital tüketici elektroniği dahil olmak üzere çeşitli son pazarlarda kullanılan çok çeşitli uygulamalarla geniş ve çeşitli küresel bir müşteri tabanına hizmet eder.
TSMC
TSMC EDA Alliance, müşterilerin TSMC proses teknolojilerini benimsemesi önündeki tasarım engellerini azaltır. Bir EDA Alliance ortağı olarak Siemens EDA, TSMC'nin gelişmiş süreç geliştirme yol haritasına uygun yeni EDA araç özelliklerinin etkinleştirilmesi ve referans akışlarında TSMC'nin tasarım metodolojisinin uygulanması yoluyla karşılıklı müşteri tasarım ihtiyaçlarını karşılamak için TSMC'nin tasarım teknolojisi ekipleriyle yakın bir şekilde çalışır. Bu işbirliği sayesinde TSMC ve Siemens EDA, ortak müşterilerin PPA hedeflerine daha kısa sürede daha iyi ulaşmalarını sağlar.
TSMC EDA Alliance
TSMC kapsama tablosu
Siemens EDA IC Portföy | Fiziksel Doğrulama | Çift/Çoklu Desenleme | Desen Eşleştirme | LVS | Parazitik Ekstraksiyon | PERC | Güç Bütünlüğü ve EM | Doldur¹ | Custom Design | Yer ve Rota | Devre Simülasyonu |
14 Angstrom sınıfı (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | SİLMEK | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
16 Angstrom sınıfı (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
2nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | SİLMEK | ✔ | | SİLMEK | ✔ |
3nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
4nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
5 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | SİLMEK | ✔ | ✔ |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm/22 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
45 nm/40 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
65 nm/55 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ● | ✔ |
90nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
0.13um/0.11um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
> = 0.18um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
✔: sertifikalı; WIP: devam eden çalışma (Ocak 2026 itibariyle)
[1]: Kalibre SmartFill 20nm'nin altında POR (Kayıt Planı) ve 20nm'nin üzerinde Kukla Doldur.
●: Henüz sertifikalandırılmamış işlem düğümleri için Siemens tarafından teknik dosyalar sağlanacaktır. Talepleriniz için lütfen Aprisa ürün ekibiyle iletişime geçin.
IC Ambalaj iş akışı sertifikası
TSMC ile devam eden işbirliğimiz, şirketin bir parçası olan iNFO entegrasyon teknolojisi için otomatik iş akışı sertifikasyonu ile başarıyla sonuçlandı. 3DFabric platform. Karşılıklı müşteriler için bu sertifika, sınıfının en iyisi EDA yazılımı ve endüstri lideri gelişmiş ambalaj entegrasyon teknolojilerini kullanarak yenilikçi ve son derece farklılaştırılmış son ürünlerin geliştirilmesine olanak tanır.
Otomatik Info_OS ve Info_pop tasarım iş akışlarımız şimdi TSMC tarafından onaylandı. Bu iş akışları şunları içerir: Innovator3D IC, HyperLynx DRC, ve Calibre nmDRC teknolojileri.
Entegre Fanout (InFo)
TSMC tarafından tanımlandığı gibi, InFo, yüksek yoğunluklu ara bağlantı ve mobil, yüksek performanslı bilgi işlem vb. gibi çeşitli uygulamalar için yüksek yoğunluklu RDL (Yeniden Dağıtım Katmanı) ve TIV (InFo Via aracılığıyla) içeren yenilikçi bir gofret seviyesi sistem entegrasyon teknolojisi platformudur. InFo platformu, belirli uygulamalar için optimize edilmiş 2D ve 3D olarak çeşitli paket şemaları sunar.
Info_OS, iNFO teknolojisinden yararlanır ve 5G ağ uygulaması için birden fazla gelişmiş mantık çipini entegre etmek için daha yüksek yoğunluklu 2/2µm RDL hat genişliği/alanı sunar. SoC üzerinde minimum 40µm I/O aralığı, minimum 130µm C4 Cu çarpma aralığı ve> 65 x 65 mm alt tabakalarda > 2X retikül boyutu iNFO ile hibrit ped aralıklarını sağlar.
Sektörün ilk 3D gofret seviyesi fan out paketi olan Info_pop, mobil uygulama için DRAM paket istifleme ile mobil AP'yi entegre etmek için yüksek yoğunluklu RDL ve TIV özelliğine sahiptir. FC_pop ile karşılaştırıldığında, Info_pop, organik substrat ve C4 çarpması olmadığı için daha ince bir profile ve daha iyi elektriksel ve termal performansa sahiptir.
Yüzey Üzerindeki Gofret Üzerinde Çip (CowOS)
Mantık ve belleği 3B hedefleme, AI ve HPC'de entegre eder. Innovator3D IC, tüm CoWOS cihaz düzeneğinin bir 3D modelini oluşturur, optimize eder ve yönetir.
Gofret Üzerinde Gofret (WoW)
Innovator3D IC, ayrıntılı tasarım ve doğrulamayı sağlayan bir 3D dijital ikiz modeli oluşturur, optimize eder ve yönetir.
Sistem Üzerindeki Entegre Yongalar (SoIC)
Innovator3D IC, tasarımı ve ardından Calibre teknolojileriyle doğrulamayı yönlendiren 3D dijital ikiz modelini optimize eder ve yönetir.