Simcenter Micred T3STER เป็นเครื่องทดสอบความร้อนชั่วคราวแบบไม่ทำลายขั้นสูงสำหรับการจำแนกลักษณะความร้อนของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์บรรจุภัณฑ์ (ไดโอด, BJT, POWER MOSFET, IGBT, ไฟ LED) และอุปกรณ์มัลติไดอีมันวัดการตอบสนองต่อความร้อนชั่วคราวที่แท้จริงได้อย่างมีประสิทธิภาพมากกว่าวิธีการในสถานะคงที่การวัดอยู่ที่ ± 0.01° C ด้วยความละเอียดเวลาสูงสุด 1 ไมโครวินาทีโครงสร้างทำงานหลังการประมวลผลการตอบสนองลงในพล็อตที่แสดงความต้านทานความร้อนและความจุของคุณสมบัติของแพ็คเกจตามเส้นทางการไหลของความร้อนSimcenter Micred T3STER เป็นเครื่องมือตรวจจับความล้มเหลวก่อนและหลังความเครียดในอุดมคติการวัดสามารถส่งออกสำหรับการสอบเทียบแบบจำลองความร้อนซึ่งเป็นพื้นฐานของความแม่นยำของความพยายามในการออกแบบความร้อน
เปิดใช้งานผลลัพธ์ที่เร็วขึ้นด้วยการทดสอบเพียงครั้งเดียวSimcenter Micred T3STER ใช้งานง่ายและรวดเร็วมันให้ผลลัพธ์ที่ทำซ้ำได้อย่างเต็มที่ดังนั้นการทดสอบแต่ละครั้งจะต้องดำเนินการเพียงครั้งเดียวSimcenter Micred T3STER ทดสอบ IC แบบบรรจุภัณฑ์โดยใช้การเชื่อมต่อไฟฟ้าสำหรับการจ่ายไฟและการตรวจจับเท่านั้น ให้ผลลัพธ์ที่รวดเร็วและทำซ้ำได้และไม่จำเป็นต้องทำการทดสอบหลายครั้งในส่วนเดียวกันส่วนประกอบสามารถทดสอบในสถานที่และผลการทดสอบสามารถใช้เป็นแบบจำลองความร้อนขนาดกะทัดรัดหรือเพื่อปรับเทียบแบบจำลองโดยละเอียด
ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์บรรจุภัณฑ์ทุกประเภทในทางปฏิบัติทุกประเภทของเซมิคอนดักเตอร์บรรจุภัณฑ์สามารถทดสอบได้ตั้งแต่ไดโอดพลังงานและทรานซิสเตอร์ไปจนถึง IC ดิจิตอลขนาดใหญ่และซับซ้อนสูง รวมถึงชิ้นส่วนที่ติดตั้งบนบอร์ดและแม้กระทั่งบรรจุลงในผลิตภัณฑ์
พูดง่ายๆก็คือพัลส์กำลังจะถูกฉีดเข้าไปในส่วนประกอบและการตอบสนองต่ออุณหภูมิจะถูกบันทึกอย่างแม่นยำมากเมื่อเทียบกับเวลาตัวเซมิคอนดักเตอร์นั้นใช้ทั้งในการขับเคลื่อนชิ้นส่วนและเพื่อรับรู้การตอบสนองต่ออุณหภูมิโดยใช้พารามิเตอร์ที่ไวต่ออุณหภูมิบนพื้นผิวแม่พิมพ์เช่นทรานซิสเตอร์หรือโครงสร้างไดโอด
เข้าถึงซอฟต์แวร์ที่เชื่อถือได้ซอฟต์แวร์ที่ให้มาพร้อมกับ Simcenter Micred T3STER ให้มูลค่ามากของโซลูชันนั่นเป็นเพราะซอฟต์แวร์ Simcenter Micred T3STER สามารถวัดอุณหภูมิเทียบกับเวลาและแปลงเป็นสิ่งที่เรียกว่าฟังก์ชันโครงสร้างสามารถตรวจพบคุณสมบัติที่ไม่ต่อเนื่องของแพ็คเกจ เช่น ตัวยึดแม่พิมพ์ได้ในพล็อตนี้ ทำให้ Simcenter Micred T3STER เป็นเครื่องมือวินิจฉัยที่ยอดเยี่ยมในการพัฒนาผลิตภัณฑ์พล็อตนี้ยังสามารถใช้เพื่อปรับเทียบแบบจำลองความร้อน 3 มิติโดยละเอียดใน Simcenter Flotherm สร้างแบบจำลองความร้อนของแพ็คเกจชิปที่ทำนายอุณหภูมิทั้งในพื้นที่และเวลาด้วยความแม่นยำ 99+%
บรรลุความแม่นยำที่สูงขึ้นในการจำลองการระบายความร้อนด้วยอิเล็กทรอนิกส์
เอกสารฉบับนี้พิจารณาปัจจัยเพื่อความแม่นยำที่สูงขึ้นสำหรับการสร้างแบบจำลองการติดตามและการกระจายความร้อนในการเชื่อมต่อภายในการจำลองแสดงให้เห็นถึงการวัดความร้อนของโมดูล IGBT โดยใช้ Simcenter T3STER และการสอบเทียบแบบจำลองร่วมกับการจำลองความร้อนใน Simcenter Flotherm
