การสร้างมาสก์โค้งแบบเต็มชิป EUV ให้หน้าต่างกระบวนการสูงสุด แต่เทคโนโลยีที่ใช้ในการผลิตหน้ากากเหล่านี้ยังคงช้าเกินไปสำหรับการผลิตลอจิคแบบเต็มชิปเราทบทวนวิธีการทางเลือกหลายประการในการใช้เทคโนโลยีลิโตกราฟีผกผันเท่านั้น (ILT) ที่ให้รันไทม์ที่เร็วขึ้นระหว่าง 4 เท่าถึงมากกว่า 100 เท่า พร้อมตัวชี้วัดลิโทกราฟิกที่คล้ายกันมาก
สิ่งที่คุณจะได้เรียนรู้:
- เหตุใดเทคโนโลยีลิโตกราฟีผกผัน (ILT) จึงไม่ใช้งานได้จริงสำหรับการสร้างหน้ากากโค้งเส้นแบบเต็มชิป EUV
- มีแนวทางเลือกใดบ้างที่มีรันไทม์ที่เร็วขึ้นซึ่งสามารถบรรลุหน้าต่างกระบวนการสูงสุด
- วิธีสร้างมาสก์เอาต์พุตเส้นโค้งด้วยรันไทม์ที่เร็วขึ้นระหว่าง 4 เท่าถึงมากกว่า 100 เท่า
