Simcenter Micred T3STER är en avancerad icke-destruktiv övergående termisk testare för termisk karakterisering av förpackade halvledarenheter (dioder, BJT, power MOSFET, IGBT, power LED) och multi-die-enheter. Den mäter det verkliga termiska transienta svaret mer effektivt än steady-state-metoder. Mätningarna är till ± 0,01° C med upp till 1 mikrosekunds tidsupplösning. Strukturfunktioner efterbearbetar svaret till ett diagram som visar värmebeständigheten och kapacitansen för paketfunktioner längs värmeflödesvägen. Simcenter Micred T3STER är ett idealiskt verktyg för att upptäcka fel före och efter stress. Mätningarna kan exporteras för termisk modellkalibrering, vilket underbygger noggrannheten i den termiska designinsatsen.
Möjliggör snabbare resultat med bara ett testSimcenter Micred T3STER är lätt att använda och snabb. Det ger fullt reproducerbara resultat, så varje test behöver bara utföras en gång. Simcenter Micred T3STER testar paketerade IC-enheter med endast elektriska anslutningar för ström och avkänning, vilket ger snabba, repeterbara resultat och eliminerar behovet av flera tester på samma del. Komponenter kan testas in situ och testresultaten kan användas som en kompakt termisk modell eller för att kalibrera en detaljerad modell.
Testa alla typer av förpackade halvledarePraktiskt taget alla typer av förpackade halvledare kan testas, från effektdioder och transistorer till stora och mycket komplexa digitala IC, inklusive delar som är monterade på ett kort, och till och med förpackade i en produkt.
Enkelt uttryckt injiceras en effektpuls i komponenten och dess temperaturrespons registreras mycket exakt mot tiden. Halvledaren själv används både för att driva delen och för att känna av temperaturresponsen med hjälp av en temperaturkänslig parameter på formytan, såsom en transistor- eller diodstruktur.
Få tillgång till tillförlitlig programvaraProgramvaran som medföljer Simcenter Micred T3STER ger mycket av värdet av lösningen. Det beror på att Simcenter Micred T3STER-programvaran kan ta temperatur kontra tidsspåret och konvertera det till vad som kallas en strukturfunktion. Diskreta egenskaper hos paketet, såsom matrisfästet, kan detekteras i denna tomt, vilket gör Simcenter Micred T3STER till ett utmärkt diagnostiskt verktyg inom produktutveckling. Plottet kan också användas för att kalibrera en detaljerad 3D-termisk modell i Simcenter Flotherm, skapa en termisk modell av ett chippaket som förutsäger temperatur i både rum och tid med 99+% noggrannhet.
Uppnå högre noggrannhet i elektronikkylsimulering med mätning och kalibrering
Detta whitepaper tar hänsyn till faktorer för högre noggrannhet för modellering av spår- och anslutningsvärmeavledning inom simulering. Den illustrerar termisk mätning av en IGBT-modul med Simcenter T3STER och modellkalibrering i samband med termisk simulering i Simcenter Flotherm.

