Mask Process Correction (MPC) är väletablerad som ett nödvändigt steg i maskdataförberedelse (MDP) för tillverkning av elektronstrålemask vid avancerade tekniska noder från 14 nm och därefter. MPC använder vanligtvis en elektronspridningsmodell för att representera e-stråleexponering och en processmodell för att representera utvecklings- och etsprocesseffekter. Modellerna används för att iterativt simulera placeringen av layoutfunktionskanter och flytta kantsegment för att maximera kantpositionens noggrannhet för den färdiga masken. Selektiv dostilldelning kan användas tillsammans med kantrörelse för att samtidigt maximera processfönstrets- och kantpositionens noggrannhet.
MPC-metodik för modellkalibrering och layoutkorrigering har utvecklats och optimerats för VSB (VSB) maskförfattare som representerar den dominerande masklitografitekniken som används idag för avancerad masktillverkning. Multi-beam mask writers (MBMW) har nyligen introducerats och börjar nu användas i volymfotomaskproduktion.
Dessa nya verktyg är baserade på massivt parallella rasterskanningsarkitekturer som avsevärt minskar skrivtidens beroende av layoutkomplexitet och förväntas öka och så småningom ersätta VSB-teknik för avancerade nodmasker eftersom layoutkomplexiteten fortsätter att växa [5] [6].
Även om det förväntas att befintliga MPC-metoder utvecklade för VSB-litografi enkelt kan anpassas till MBMW, är en noggrann undersökning av maskfelkorrigering för MBMW nödvändig för att fullt ut bekräfta tillämpligheten av nuvarande verktyg och metoder, och för att identifiera eventuella modifieringar som kan krävas för att uppnå önskad CD-prestanda för MBMW. I detta dokument kommer vi att presentera resultaten av en sådan studie och bekräfta MPC: s beredskap för flerstrålemasklitografi.
